A. 如何判斷離子交換的程度
如何判斷離子交換的程度
前面的文章中提到過，混床也叫陰陽床，作用是陰陽離子交換，核心部件是離子交換樹脂，下面給大家分析幾個離子交換數字失效的原因。
樹脂有時會減少，原因可能是陰陽離子交換器再生過程中反洗流量過大或布水濾網發生泄漏，造成樹脂漏掉；或者上下布水器破裂造成樹脂漏了。如果樹脂一直在減少，那麼減少到一定程度也就起不到相應的作用了。
混床的除鹽系統是串聯式除鹽系統，如果樹脂失效了，根據設備失效時陰床出水或除掉鹽水的指標來確定交換容量低的交換器是一種檢測辦法。當設備失效時，如果系統出來的水裡二氧化硅含量增加了，而電導率變化不大，就可以判斷為陰床失效或混床中陰離子交換樹脂失效。反之系統出水電導率增加，而二氧化硅含量變化不大的話，就是陽床或混床中陽離子交換樹脂失效。
樹脂失效了，水自然處理不好。所以要實時檢測，如果有相應的失效症狀就趕快去修復，彌補一下。
B. 混床再生處理後為什麼二氧化硅超標，比進水還要大
混床出水SiO2超標的原因 ：
1.1除硅系統不完善。反滲透裝置後續處理直接為二級混床離子交換除鹽. 由於 RO 為物理除鹽,所以一級混床進水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 陰離子,經過混床陰 樹脂的交換後,進入二級混床的主要是 HCOf,HSi03-兩種陰離子,經測定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,這樣在終點到達時,失效的二級混床陰樹脂中,RHSiO,比例高達75%～85%.這時,常規 的再生方法已無法徹底去除硅酸,所以再次投運時會導致混床出水SiO:含量超標, 將這種現象稱之為 "硅污染".硅污染易發生在二級混床的強鹼性陰樹脂中,用正常的再生方法無法徹 底地將這些硅洗脫 來,其結果往往導致陰樹脂的除硅能力較大幅度的下降,再生後混床出水硅含量超標.
2.常規再生方法的不足。 對發生硅污染的混床,常規的再生用鹼量不足以保證再生效果,其原因:不足量的再生液流經樹脂層時先是發生部分硅化合物被再生下來的過程,部分硅化合物仍殘留在樹脂中。
C. 混床正在運行電導突然升高的原因
混床SI的監測，能體現出混床對活性二氧化硅的監測。當混床出水中二氧化硅超標時，那麼說明此時混床中的陰離子早已穿透，所以此時需要結合混床產水電導來監測。
而當混床中的陽樹脂量偏少或者再生時酸濃度異常或者酸純度異常等情況，前面得運行陽床中的鈉離子穿透將直接穿透混床。
所以混床硅和電導都合格的情況下鈉可能會超標。正常情況下，只需要監測混床出口的活性二氧化硅和電導。手動取樣分析是監測鈉，只是通過測定來分析混床運行或再生時，是否存在異常。用來輔助再生和運行操作
D. 陽床對混床的影響，為什麼陽床對混床的DD影響大
陰床對混床的二氧化硅影響大,是因為陰床去除硅酸根，是陰離子
電導升高檢查是否混床將失效，又或者混床再生時陽樹脂效果不好？
E. 混床運行兩天，鈉離子突然升高電導率突然升高怎麼辦
混床SI的監測，能體現出混床對活性二氧化硅的監測。當混床出水中二氧化硅超標時專，那麼說明此時混床中的陰離子屬早已穿透，所以此時需要結合混床產水電導來監測。
而當混床中的陽樹脂量偏少或者再生時酸濃度異常或者酸純度異常等情況，前面得運行陽床中的鈉離子穿透將直接穿透混床。
所以混床硅和電導都合格的情況下鈉可能會超標。正常情況下，只需要監測混床出口的活性二氧化硅和電導。手動取樣分析是監測鈉，只是通過測定來分析混床運行或再生時，是否存在異常。用來輔助再生和運行操作
F. 脫鹽水混床為什麼要控制SiO2和Na+的含量
陽離子交換樹脂是利用H+---Na+離子（含其他陽離子，如鉀、鈣、鎂、銅等重金屬離子回）的交換，使水中所含鈉答離子轉成氫離子；而陰離子交換樹脂是利用OH- --- CL-（或SiO3-2，含其他陰離子，如硫酸根、碳酸根、硝酸根、亞硝酸根、磷酸根等等陰離子）的離子交換，使水中所含氯離子(或硅酸根離子等)轉成氫氧根離子，而氫離子與氫氧根離子結合則成為純水。在離子交換中當電導率下降（即導電能力增強）時，說明離子交換樹脂臨近失效，必須採用稀氫氧化鈉溶液和稀鹽酸溶液進行再生，逆向置換又成為氫離子、氫氧根離子型，可以重新工作。
G. 混床更換樹脂後，除鹽水二氧化硅高，而未更換樹脂的混床產水正常，二氧化硅高怎麼處理
混床出水SiO2超標的原因 ：
1.1除硅系統不完善。反滲透裝置後續處理直接為二級混床離子交換除鹽回. 由於 RO 為物理答除鹽,所以一級混床進水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 陰離子,經過混床陰 樹脂的交換後,進入二級混床的主要是 HCOf,HSi03-兩種陰離子,經測定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,這樣在終點到達時,失效的二級混床陰樹脂中,RHSiO,比例高達75%～85%.這時,常規 的再生方法已無法徹底去除硅酸,所以再次投運時會導致混床出水SiO:含量超標, 將這種現象稱之為 "硅污染".硅污染易發生在二級混床的強鹼性陰樹脂中,用正常的再生方法無法徹 底地將這些硅洗脫 來,其結果往往導致陰樹脂的除硅能力較大幅度的下降,再生後混床出水硅含量超標.
2.常規再生方法的不足。 對發生硅污染的混床,常規的再生用鹼量不足以保證再生效果,其原因:不足量的再生液流經樹脂層時先是發生部分硅化合物被再生下來的過程,部分硅化合物仍殘留在樹脂中。
H. 混床和復床哪個好
復床是離子交換樹脂柱式操作方式之一。即把裝有陽離子交換樹脂的柱與裝有陰離子交換回樹脂的柱先後串聯起答來使用以達到同時除去電解質溶液中的陽離子與陰離子或兩種以上不同物質的目的。
所謂混床，就是把一定比例的陽、陰離子交換樹脂混合裝填於同一交換裝置中，對流體中的離子進行交換、脫除。
運行中正常的陰床出水電導小於等於10us/cm,SiO2小於等於100ug/L,超過該值說明快失效了。混床出水電導小於等於0.2，二氧化硅小於等於20。