反相器可以把1v電壓提升5v嗎

⑴ 6反相器 供電電壓1.5V 可以正常工作嗎

不可以的 cmos電路電壓范圍是3v----18v， ttl電路電源是4.5---5.5v

⑵ 反相器有什麼作用

反相器電路輸出電壓所代表的邏輯電平與輸入相反。反相器可以僅用一個NMOS晶體管或一個PMOS連接一個電阻來構建。因為這種「阻性漏極」方式只需要使用一種類型的晶體管，其製造成本非常小。不過，由於電流以兩種狀態之一流過電阻，這種阻性漏極配置有功耗和狀態改變的處理速率問題。另外，反相器可以用兩個互補晶體管配置成CMOS反相器。這種配置可以大幅降低功耗，因為在兩種邏輯狀態中，兩個晶體管中的一個總是截止的。處理速率也能得到很好的提高，因為與NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的電阻相對較低。反相器也可以電阻－晶體管邏輯（RTL）或晶體管－晶體管邏輯（TTL）使用三極體（BJT）構建。

拓展資料：

反相器性能常用表示輸入-輸出電壓關系的電壓傳輸特性曲線（VTC）來測定。曲線圖能反映出元件的參數，包括雜訊容限、增益和操作邏輯電平。

北卡羅來納州立大學組建的20微米反相器的電壓傳輸特性曲線

反相器理想化的電壓傳輸特性曲線是單位階躍函數，這表明反相器能在高電平和低電平間無延遲精確的翻轉，但在實際元件中，曲線存在過渡區。曲線表明若輸入為低電壓，則輸出為高電壓；若輸入為高電壓，則輸出電壓逐漸接近0V。過渡區的斜率是性能測量的指標，過渡區越陡峭，即斜率越大，性能越好，若斜率接近無窮，則電路能在高電平和低電平間精確翻轉，反相器就是理想的。

雜訊容限可以通過每一工作區中的最大輸出電壓VOH和最小輸入電壓VIL的比值來測定。

輸出電壓VOH可以在級聯多個元件時測定信號驅動強度。

⑶ 提供+5v電源，可以用反相器得到一個-5v電源嗎

這樣運用是不可以的，反向器的輸出高電平，輸出也就是0
低電平
，不可能是-5V啊，理解有錯誤哦。

⑷ 有哪種反相器晶元可以把+5V變成-5V，-5V變成+5V

可以把+5V變成-5V的晶元：ICL7660
ICL7660中文資料
http://wenku..com/view/6f1791d149649b6648d74796.html
-5V變成+5V的沒見過。
我以為你說的是電源的極性變換呢，原來是信號啊！
信號的極性變換就只好使用雙電源供電的運放了，由反相端輸入。

⑸ CMOS反相器的電壓傳輸特性沒有看明白

共發射極晶體管電路處於關斷狀態，有兩個穩定的狀態：飽和導通，輸出低電平，截止，正電源通過集電極電阻器輸出高電平。只要各狀態之間的轉移，就必須越過的線性區域，所以有一個范圍內的線性放大狀態。 TTL輸出級晶體管的集電極電阻形成雙管推挽結構，兩管輪流轉上管，下管截止，輸出高電平，反之，輸出低。在狀態轉換，如果雙管同時導通管功率晶元的損失急劇增加，這是不允許的，因此從線性區到飽和區管，下管仍處於關閉狀態，TTL輸出將有一個簡短的線性（擴大）狀態。 />總之，TTL輸出特性的電路的內部結構所決定的。

⑹ 用反相器能不能把5v變成-5v

反相器的輸出接一個電容C1，C1的另一端接二極體D1的正極和二極體D2的負極，D1的

負極接地，D2的正極極接電容C2，C2的另一端接地。C2的容量要大於C1。例如C1用0.1微

法，C2用0.47微法(最佳數值可由試驗決定)。反相器的輸入端加一個方波，其幅值

應該能使反相器正常工作(在輸出端出現一個相位相反的方波)。C2上就會出現一個

負電壓，理論上比電源電壓低0.7V，然後再穩壓到負5V。

圖片僅供參考

⑺ 為什麼反相器輸入電壓為-5~5V時才能顯示正確的輸出波形

反相器的輸入電壓為5V時，輸出為-5V，輸入為10V時，輸出也為-10V，
其實那也要看反相器的所設定的輸入電壓范圍，這個可以設定的

⑻ 提供5V電壓給74ls14當做工作電壓（VCC），輸入3.3V電壓信號經過兩個反相器以後，輸出為什麼是5V的電壓

你供電是5V，3.3V信號進去出來肯定是5V的樣子。這些類型的晶元的要求肯定你進去的信號幅值必須小於晶元供電電壓，不知你理解沒有。你看看晶元內部結構吧！

⑼ pwm接光耦6N137，然後用74hc14反相器整形，電壓為0v和5v，需要10v，需要用什麼抬

如果沒有什麼特殊要求可以用COMS反相器電路及10伏特的電源搞定。