不合格的原来因很多种，建议说下你的自情况，先把一些常用情况告诉您：
1、如果设备运行良好且纯化水不合格的话，就说明反渗透膜组件的脱盐能力下降，需要更换了。
2、设备运行中的问题：
a、设备运行中突然纯水不合格，是因为膜组件的密封圈和连接器出现的问题，建议分段检查找出异常端，跟换新的配件
b、设备刚开机二级电导率变化很大且很难调节下来，这种说明的问题就是一级后二级前的二氧化碳脱除装置出现问题，
3、其他问题：
有的时候还会出现电导率合格纯化水中的亚硝酸盐超标或者细菌超标的问题，这种问题一般来源于管道，现在大部分厂家在提供设备的时候，缺乏必要的纯化水管道处理，有的厂家可能从来没处理过，造成设备间断运行后菌斑形成，这种问题出现后只能大面积的更换纯水管道，一般的清洁和消毒都不是十分好用。
4、当然纯水设备还会出现很多问题，建议你把您的设备出现的问题详细说下吧
② 使用超滤+反渗透+混床生产的脱盐水，为什么产水TOC含量很高
TOC的概念：总有机碳含量。以碳的含量表示水体中有机物质总量的综合指标。
TOC可以很直接地用来回表示有机物答的总量。因而它被作为评价水体中有机物污染程度的一项重要参考指标。
您说的工艺的最后一个环节，混床的构成就是树脂，他就是有机物的重大来源，所以TOC得含量会高。
解决办法：
1、在系统末端在加个超滤可以解决问题。
2、调整工艺，把混床改为EDI或者双级反渗透也可以。
③ 反渗透产水二氧化硅高是什么原因
楼主你好，反渗透产水出现细菌主要有以下几种可能：
1、反渗透出现生物内污染，生物污染主要发生在一段，容主要体现为一段进水压力的增加，段间压差增大，膜生物污染会引起产水生物污染。
2、产水箱要定期杀菌，因为反渗透产水中已没有余氯，所以只要产水箱中有少量细菌，极易快速繁殖形成二次污染，因此要及时对产水箱进行杀菌作业。
3、浓水窜入产水，造成产水中含有细菌，这主要发生在膜元件连接密封漏水情况下，同时伴有产水电导率升高。
4、要排除取样端口污染及取样器材污染可能性，取样时要在反渗透近点取水，取样时要多排放，将取样管中的残水排出，取新鲜产水。取样瓶要做杀菌处理，水样不要长时间存放，这些都要注意的。
希望对你有所帮助，有疑问可以继续追问，呵呵。
④ ro反渗透纯水机制水不合格原因
1设备中有残余气体在高压下运行，形成气锤会损坏膜rightleder`
常有两种情况发生：A、设备排空后，重新运行时，气体没有排尽就快速升压运行。应在2～4bar的压力下将余下的空气排尽后，再逐步升压运行。B、在预处理设备与高压泵之间的接头密封不好或漏水时(尤其是微滤器及其后的管路漏水)当预处理供水不很足时，如微滤发生堵塞，在密封不好的地方由于真空会吸进部分空气。应清洗或更换微滤器，保证管路不漏。总之，应在流量计中没有气泡的情况下逐步升压运行，运行中发现气泡应逐渐降压检查原因。
2关机时的方法不正确
A、关机时快速降压没有进行彻底冲洗。由于膜浓水侧的无机盐的浓度高于原水，易结垢而污染膜。B、用投加化学试剂的预处理水冲洗。因含化学试剂的水在设备停运期间可能引起膜污染。在准备关机时，应停止投加化学试剂，逐步降压至3bar左右用预处理好的水冲洗10min，直至浓缩水的TDS与原水的TDS很接近为止。
3消毒和保养不力导致微生物的污染
这是复合聚酰胺膜使用中普遍存在的问题，因为聚酰胺膜耐余氯性差，在使用中没有正确投加氯等消毒剂，加上用户对微生物的预防重视不够，容易导致微生物的污染。许多厂家生产的纯水微生物超标，就是消毒、保养不力造成的。
⑤ 净化器的水过滤后比原水tds值高这是什么原因
0.2-0.5微米的孔径能截留绝大多数的微生物，因此从这个膜出来的水，不含微生物的；
从你的描述来看，可能有两个原因：
活性炭有泄漏，造成TDS的升高；
管网内有微生物的生长，一般是指使用超过1个月的机器，在管网中都会有微生物的存在，从管壁上脱落进入水中，造成TDS升高。
⑥ 反渗透膜氯离子超标有什么办法解决主要是什么原因引起的
我们正在上反渗透膜过滤,氯离子是小分子可以透过,所以不行,我们因为我们要用氯离子,所以我可以准确的告诉你能透过,!
⑦ 除盐水的PH偏高是什么原因
水中含盐量较高时，阴床出水通常就会PH偏高，因为水中阴离子将树脂中OH-交换出来，而当交换出来的OH-无法完全被进水中的H+中和时，就会出现PH偏高的现象。
⑧ 反渗透法制备纯化水时常出现硝酸盐超标现象
你好！
纯化水如果只是硝酸盐超标，有三个原因
一是检测本身有误差
二是原水硝酸盐含量太高
三是膜的脱盐率下降
如果电导率在二以下那99%的检测有问题1%管网的问题。
如有疑问，请追问。
⑨ 为什么混床更换树脂后，除盐水中二氧化硅含量超标
混床出来水SiO2超标的原因 ：
1.1除硅系自统不完善。反渗透装置后续处理直接为二级混床离子交换除盐. 由于 RO 为物理除盐,所以一级混床进水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 阴离子,经过混床阴 树脂的交换后,进入二级混床的主要是 HCOf,HSi03-两种阴离子,经测定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,这样在终点到达时,失效的二级混床阴树脂中,RHSiO,比例高达75%～85%.这时,常规 的再生方法已无法彻底去除硅酸,所以再次投运时会导致混床出水SiO:含量超标, 将这种现象称之为 "硅污染".硅污染易发生在二级混床的强碱性阴树脂中,用正常的再生方法无法彻 底地将这些硅洗脱 来,其结果往往导致阴树脂的除硅能力较大幅度的下降,再生后混床出水硅含量超标.
2.常规再生方法的不足。 对发生硅污染的混床,常规的再生用碱量不足以保证再生效果,其原因:不足量的再生液流经树脂层时先是发生部分硅化合物被再生下来的过程,部分硅化合物仍残留在树脂中。