晶圓超純水清洗

㈠ 集成電路生產車間污染物的主要來源有哪些

摘要：本文主要敘述了半導體集成電路在封裝過程中，環境因素和靜電因素對IC封裝方面的影響，同時對封裝工藝中提高封裝成品率也作了一點探討。
關鍵詞：環境因素；靜電防護；封裝

引言

現代發達國家經濟發展的重要支柱之一--集成電路(以下稱IC)產業發展十分迅速。自從1958年世界上第一塊IC問世以來，特別是近20年來，幾乎每隔2-3年就有一代產品問世，至目前，產品以由初期的小規模IC發展到當今的超大規模IC。IC設計、IC製造、IC封裝和IC測試已成為微電子產業中相互獨立又互相關聯的四大產業。微電子已成為當今世界各項尖端技術和新興產業發展的前導和基礎。有了微電子技術的超前發展，便能夠更有效地推動其它前沿技術的進步。隨著IC的集成度和復雜性越來越高，污染控制、環境保護和靜電防護技術就越盲膨響或制約微電子技術的發展。同時，隨著我國國民經濟的持續穩定增長和生產技術的不斷創新發展，生產工藝對生產環境的要求越來越高。大規模和超大規模Ic生產中的前後道各工序對生產環境提出了更高要求，不僅僅要保持一定的溫、濕度、潔凈度，還需要對靜電防護引起足夠的重視。

2 環境因素對IC封裝的影響

在半導體IC生產中，封裝形式由早期的金屬封裝或陶瓷封裝逐漸向塑料封裝方向發展。塑料封裝業隨著IC業快速發展而同步發展。據中國半導體信息網對我國國內28家重點IC製造業的IC總產量統計，2001年為44．12億塊，其中95％以上的IC產品都採用塑料封裝形式。

眾所周知，封裝業屬於整個IC生產中的後道生產過程，在該過程中，對於塑封IC、混合IC或單片IC，主要有晶圓減薄(磨片)、晶圓切割(劃片)、上芯(粘片)、壓焊(鍵合)、封裝(包封)、前固化、電鍍、列印、後固化、切筋、裝管、封後測試等等工序。各工序對不同的工藝環境都有不同的要求。工藝環境因素主要包括空氣潔凈度、高純水、壓縮空氣、C02氣、N：氣、溫度、濕度等等。

對於減薄、劃片、上芯、前固化、壓焊、包封等工序原則上要求必須在超凈廠房內設立，因在以上各工序中，IC內核--芯粒始終裸露在外，直到包封工序後，芯粒才被環氧樹脂包裹起來。這樣，包封以後不僅能對IC芯粒起著機械保護和引線向外電學連接的功能，而且對整個晶元的各種參數、性能及質量都起著根本的保持作用。在以上各工序中，哪個環節或因素不合要求都將造成芯粒的報廢，所以說，凈化區內工序對環境諸因素要求比較嚴格和苛刻。超凈廠房的設計施工要嚴格按照國家標准GB50073-2001《潔凈廠房設計規范》的內容進行。

2．1 空調系統中潔凈度的影響

對於凈化空調系統來講，空氣調節區域的潔凈度是最重要的技術參數之一。潔凈廠房的潔凈級別常以單位體積的空氣中最大允許的顆粒數即粒子計數濃度來衡量。為了和國際標准盡快接軌，我國在根據IS014644-1的基礎上制定了新的國家標准GB50073-2001《潔凈廠房設計規范》，其中把潔凈室的潔凈度劃分了9個級別，具體見表1所示。

結合不同封裝企業的凈化區域面積的大小不一，再加之由於塵粒在各工序分布的不均勻性和隨機性，如何針對不同情況來確定合適恰當的採集測試點和頻次，使潔凈區域內潔凈度控制工作既有可行性，又具有經濟性，進而避免偶然性，各封裝企業可依據國家行業標准JGJ71-91《潔凈室施工及驗收規范》中的規定靈活掌握。具體可參照表2進行。

由於微電子產品生產中，對環境中的塵粒含量和潔凈度有嚴格的要求，目前，大規模IC生產要求控制0．1μm的塵粒達到1級甚至更嚴。所以對IC封裝來說，凈化區內的各工序的潔凈度至少必須達到1級。

2．2超純水的影響

IC的生產，包括IC封裝，大多數工序都需要超純水進行清洗，晶圓及工件與水直接接觸，在封裝過程中的減薄工序和劃片工序，更是離不開超純水，一方面晶圓在減薄和劃片過程中的硅粉雜質得到洗凈，而另一方面純水中的微量雜質又可能使芯粒再污染，這毫無疑問將對封裝後的IC質量有著極大的影響。

隨著IC集成度的進一步提高，對水中污染物的要求也將更加嚴格。據美國提出的水質指標說明，集成度每提高一代，雜質都要減少1／2~1／10。表3所示為最新規定的對超純水隨半導體IC進展的不同要求。

從表3可以看到，隨著半導體IC設計規則從1．5~0．25μm的變化，相應地超純水的水質除電阻率已接近理論極限值外，其TOC(總有機碳)、DO(溶解氧)、Si02、微粒和離子性雜質均減少2-4個數量級。

在當前的水處理中，各項雜質處理的難易程度依次是TOC、SiO2、DO、電阻率，其中電阻率達到18MΩ·cm(25℃)是當前比較容易達到的。由於TOC含量高會使柵氧化膜尤其是薄柵氧化膜中缺陷密度增大，所以柵愈薄要求TOC愈低，況且現在IC技術的發展趨勢中，晶元上柵膜越來越薄，故降低TOC是當前和今後的最大難點，因而已成為當今超純水水質的象徵和重心。據有關資料介紹，在美國晶元廠中，50％以上的成品率損失起因於化學雜質和微粒污染；在日本工廠中由於微粒污染引起器件電氣特性的不良比例，已由2μm的70％上升到0．8μm超大規模IC的90％以上，可見IC線條寬度越細，其危害越突出。相應的在IC封裝過程中超純水的重要性就顯而易見了。

在半導體製造工藝中，大約有80％以上的工藝直接或間接與超純水，並且大約有一半以上工序，矽片與水接觸後，緊接著就進人高溫過程，若此時水中含有雜質就會進入矽片而導致IC器件性能下降、成品率降低。確切一點說，向生產線提供穩定優質的超純水將涉及到企業的成本問題。

2．3純氣的影響

在IC的加工與製造封裝中，高純的氣體可作為保護氣、置換氣、運載氣、反應氣等，為保證晶元加工與封裝的成品率和可靠性，其中一個重要的環節，就是嚴格控制加工過程中所用氣體的純度。所謂"高純"或"超純"也不是無休止的要求純而又純，而是指把危害IC性能、成品率和可靠性的有害雜質及塵粒必須減少到一定值以下。表4列出了半導體大規模IC加工與製造中用的幾種常用氣體的純度。

例如在IC封裝過程中，把待減薄的晶圓，劃後待粘片的晶圓，粘片固化後待壓焊的引線框架(LF)與芯粒放在高純的氮氣儲藏櫃中可有效地防止污染和氧化；把高純的C02氣體混合人高純水中，可產生一定量的H+，這樣的混合水具有一定的消除靜電吸附作用，代劃片工序使用可有效地去除劃痕內和芯粒表面的硅粉雜質，以此來減少封裝過程中的芯粒浪費。

2．4 溫、濕度的影響

溫、濕度在IC的生產中扮演著相當重要的角色，幾乎每個工序都與它們有密不可分的關系。GB50073-2001《潔凈廠房設計規范》中明確強調了對潔凈室溫、濕度的要求要按生產工藝要求來確定，並按冬、夏季分別規定。見表5。

根據國家要求標准，也結合我廠IC塑封生產線的實際情況，特對相關工序確定了溫、濕度控制的范圍，運行數年來效果不錯。控制情況見表6。

但是，由於空調系統發生故障，在2001年12月18日9：30~9：40期間，粘片工序工作區域發生了一起濕度嚴重超標事故。當時相對濕度高達86．7％RH，而在正常情況下相對濕度為45~55％RH。

當時濕度異常時粘片現場狀況描述如下：

所有現場桌椅板凳、玻璃、設備、晶圓、晶元以及人身上的防靜電服表面都有嚴重的水汽，玻璃上的水汽致使室內人看不清過道，用手觸摸桌椅設備表面，都有很明顯的手指水跡印痕。更為嚴重的是在粘片工序現場存放的晶元有許多，其中SOPl6L產品7088就在其列，對其成品率的影響見表7所示。所有這些產品中還包括其它系列產品，都象經過了一次"蒸汽
浴"一樣。

從下表可看出或說明以下問題：

針對這批7088成品率由穩到不穩，再到嚴重下降這一現象，我們對粘片、壓焊、塑封等工序在此批次產品加工期間的各種工藝參數，原材料等使用情況進行了詳細匯總，沒有發現異常情況，排除了工藝等方面的原因。

事後進一步對廢品率極高的18#、21#、25#、340、55#卡中不合格晶進行了超聲波掃描，發現均有不同程度的離層，經解剖發現：從離層處發生裂痕、金絲斷裂、部分晶元出現裂紋。最後得出結論如下：

(1)造成成品率下降的原因主要是封裝離層處產生裂痕，導致晶元裂紋或金絲斷裂。

(2)產生離層的原因是由於晶元表面水汽包封在塑封體內產生。

由此可見，溫、濕度對IC封裝生產中的重大影響！

2．5其它因素的影響

諸如壓差因素、微振因素、雜訊因素等對IC封裝加工中都有一定的影響。鑒於篇幅所限，這里就不再逐一贅述。

3靜電因素對IC封裝的影響

首先，靜電產生的原因是隨處可見的。

在科技飛速發展和工業生產高度自動化的今天，靜電在工業生產中的危害已是顯而易見的，它可以造成各種障礙，限制自動化水平的提高和影響產品質量。這里結合我廠在集成電路封裝、生產過程的實際情況來說明之所以有靜電的產生，主要有以下幾個方面的原因。

3．1 生產車間建築裝修材料多採用高阻材料

IC生產工藝要求使用潔凈車間或超凈車間。要求除塵微粒粒徑從以往的0．3μm變到0．1μm擬下，塵粒密度約為353個／m3。為此，除了安裝各吸塵設備之外，還要採用無機和有機不發塵材料，以防起塵。但對於建材的電性能沒有作為一項指標考慮進去。工業企業潔凈廠房設計規范中也未作規定。IC工廠的潔凈廠房主要採用的室內裝修材料有：聚氨酯彈性地面、尼綸、硬塑料、聚乙烯、塑料壁紙、樹脂、木材、白瓷板、瓷漆、石膏等等。上述材料中，大部分是高分子化合物或絕緣體。例如，有機玻璃體電阻率為1012~1014Ω·cm，聚乙烯體電阻率為1013~1015n·cm，因而導電性能比較差，某種原因產生靜電不容易通過
它們向大地泄漏，從而造成靜電的積聚。

3．2人體靜電

潔凈廠房操作人員的不同動作和來回走動，鞋底和地面不斷的緊密接觸和分離，人體各部分也有活動和磨擦，不論是快走、慢走，小跑都會產生靜電，即所謂步行帶電；人體活動後起立，人體穿的工作服與椅子面接觸後又分離也會產生靜電。人體的靜電電壓如果消不掉，而去接觸IC晶元，就可能在不知不覺中造成IC的擊穿。

3．3 空氣調節和空氣凈化引起的靜電

由於IC生產要求在45-55％RH的條件下進行，所以要實行空氣調節，同時要進行空氣凈化。降濕的空氣要經過初效過濾器、中效過濾器、高效過濾器和風管送人潔凈室。一般總風管風速為8~10m／s，風管內壁塗油漆，當乾燥的空氣和風管，乾燥的空氣和過濾器作相對運動時，都會產生靜電。應該引起注意的是靜電與濕度有著較敏感的關系。

另外，運送半成品和IC成品在包裝運輸過程中都會產生靜電，這都是靜電起電的因素之一。

其次，靜電對IC的危害是相當大的。

一般來說，靜電具有高電位、強電場的特點，在靜電起電-放電過程中，有時會形成瞬態大電流放電和電磁脈沖(EMP)，產生頻譜很寬的電磁輻射場。另外，與常規電能量相比，靜電能量比較小，在自然起電-放電過程中，靜電放電(ESD)參數是不可控制的，是一種難於重復的隨機過程，因此它的作用往往被人們所忽視。尤其在微電子技術領域，它給我們造成的危害卻是驚人的，據報道每年因靜電造成直接經濟損失高達幾億元人民幣，靜電危害以成為發展微電子工業的重大障礙。

在半導體器件生產車間，由於塵埃吸附在晶元上，IC尤其是超大規模集成電路(VLSI)的成品率會大大下降。

IC生產車間操作人員都穿潔凈工作服，若人體帶靜電，則極易吸附塵埃、污物等，若這些塵埃、污物被帶到操作現場的話，將影響產品質量，惡化產品性能、大大降低Ic成品率。如果吸附的灰塵粒子的半徑大於100μm線條寬度約100μm時，薄膜厚度在50μm下時，則最易使產品報廢。

再次，靜電對IC的損害具有一定的特點。

(1)隱蔽性

除非發生靜電放電，人體不能直接感知靜電，但發生靜電放電人體也不一定能有電擊的感覺，這是因為人體感知的靜電放電電壓為2~3kv，所以靜電具有隱蔽性。

(2)潛在性

有些匯受到靜電損傷後的性能沒有明顯的下降，但多次累加放電會給IC器件造成內傷而形成隱患。因此靜電對IC的損傷具有潛在性。

(3)隨機性

IC什麼情況下會遭受靜電破壞呢?可以這么說，從一個IC晶元產生以後一直到它損壞以前，所有的過程都受到靜電的威脅，而這些靜電的產生也具有隨機性，其損壞也具有隨機性。

(4)復雜性

靜電放電損傷的失效分析工作，因微電子IC產品的精、細、微小的結構特點而費時、費事、費財，要求較高的技術並往往需要使用高度精密儀器，即使如此，有些靜電損傷現象也難以與其它原因造成的損傷加以區別；使人誤把靜電放電損傷的失效當作其它失效，這在對靜電放電損害未充分認識之前，常常歸因於早期失效或情況不明的失效，從而不自覺地掩蓋了失效的真正原因。所以分析靜電對IC的損傷具有復雜性。

總而言之，在IC的加工生產和封裝過程中建立起靜電防護系統是很有必要的!

IC封裝生產線對靜電的要求更為嚴格。為了保證生產線的正常運行，對其潔凈廠房進行防靜電建築材料的整體裝修，對進出潔凈廠房的所有人員配備防靜電服裝等採取硬體措施外，封裝企業可根據國家有關標准和本企業的實際隋況制定出在防靜電方面的企業標准或具體要求，來配合IC封裝生產線的正常運轉。隨著我國IC封裝線的擴建、封裝能力的逐年提高、封裝品種的增加以及對產品質量和成品率的更高要求，相應地對各種軟、硬體要求和對全體從業人員的靜電防護意識的加強就顯得更為重要，而這也正扮演和充當著影響我們產品質量的"主要角色"和"無形殺手"。所以說，靜電防護將是目前和今後擺在我們整個IC行業的一大課題。

4結束語

綜上所述，環境諸多因素和靜電因素始終對IC的封裝加工過程起著很重要的作用，這也是IC的發展趨勢和封裝加工過程的固有特性所決定的，微電子半導體IC的超前發展，就勢必要求我們在環境與靜電方面緊緊跟上IC的發展，使之不要成為制約IC封裝加工發展的障礙和"絆腳石"。本文也正是出於這樣的考慮來進行拋磚引玉的。

㈡ 超純水處理操作流程(最高半導體公司)

一般採用膜工藝，超濾膜-二級RO-EDI-拋光混床等設備！出水達18兆！最高標準是晶圓廠！

㈢ 什麼是UP水

超純水英文名為Ultrapure water又稱水，是指電阻率達到18 MΩ*cm（25℃）的水，改水幾乎沒有什麼雜質。

高純水是化學純度極高的水，其中的雜質的含量小於0.1mg/L。目前人們製成的高純水的純度已經達到99.%，其中雜質含量低於0.01mg/L。

高純水主要指水的溫度為25℃時，電導率小於0.1us/cm,pH值為6.8-7.0及去除其他雜質和細菌的水。

高純水中的導電介質幾乎全部去除，又將水中不離解的膠體物質、氣體和有機物均去除至很低程度的水。高純水的含鹽量在0. 3mg/L以下，電導率小於0. 2μs/cm。

超純水中除了水分子外，幾乎沒有什麼雜質，更沒有細菌、病毒、含氯二惡英等有機物，當然也沒有人體所需的礦物質微量元素，也就是幾乎去除氧和氫以外所有原子的水。

(3)晶圓超純水清洗擴展閱讀

超純水可以在以下領域使用：

（1）電子、電力、電鍍、照明電器、實驗室、食品、造紙、日化、建材、造漆、蓄電池、化驗、生物、制葯、石油、化工、鋼鐵、玻璃等領域。

（2）化工工藝用水、化學葯劑、化妝品等。

（3）單晶硅、半導體晶片切割製造、半導體晶元、半導體封裝 、引線櫃架、集成電路、液晶顯示器、導電玻璃、顯像管、線路板、光通信、電腦元件 、電容器潔凈產品及各種元器件等生產工藝。

（4）高壓變電器的清洗等。

㈣ 在半導體生產中,超純水都會被應用在哪裡

• 超純水的應用領域涵蓋了整個電子行業，還有許多新能源行業也有涉獵，比如我們常說的晶元、半導體、光伏等等。今天我們主要來說一下半導體領域中超純水的應用。在半導體生產中，超純水都會被應用在哪裡?答案是在晶圓沖洗、化學品稀釋、化學機械...

㈤ 任何純水會減弱任何電的電力嗎

1、 原水

原水 ：是指未經任何處理的天然水或城市的自來水等也叫生水 。

2、 澄清水

澄清水：去除了原水中的懸浮雜質的水。

3、 除鹽水

是指水中的陽、陰離子基本上除去或降低到一定程度的水稱為除鹽水。除鹽的方法有蒸餾法、電滲析法、反滲透法、離子交換法等。

4、 濁度

濁度：就是指水的渾濁程度，它是因水中含有一定的懸浮物（包括膠體物質）所產生的光學效應。單位用NTU表示。濁度是在外觀上判斷水是否遭受污染的主要特徵之一。濁度的標准單位規定為1mgSi02所構成的渾濁度為1度。

5、 絮凝劑

絮凝劑：能引起膠粒產生凝結架橋而發生絮凝作用的葯劑。

6、 總鹼度

總鹼度：是指水中能與強酸發生中和作用的物質總量。

7、 酸度

酸度：是指水中能與強鹼發生中和作用的物質總量。

8、 硬度

硬度：是指水中某些易於形成沉澱物的金屬離子，通常指鈣、鎂離子含量。

9、 電導率

電導率：是在一定溫度下，截面積為1平方厘米，相距為1厘米的兩平行電極之間溶液的電導。可以間接表示水中溶解鹽的含量。

10、電阻率

電阻率：也是一個反映水的導電能力的一個指標，水的電阻率越大，水的導電能力越差，水中所含的離子就越少。它的常用單位是MΩ.CM。它同電導率之間是倒數關系。例如：水的電導率是0.2μs/cm,則它的電阻率就是1/0.2=5（MΩ.CM）。

11、TDS（溶解性總固體）

TDS（溶解性總固體）：是濾除懸浮物（SS）與膠體並蒸發看全部水分後的剩餘無機物。單位是ppm或mg/l，可以用TDS儀來測量。它也反應了水中的離子含量。它與電導率之間一個粗略的對應關系：對於氯化鈉參考溶液來說，1ppm的TDS值對應2μs/cm的電導率。

12、PH值

pH值：溶液中酸和鹼的相對含量。pH值是水中氫離子濃度的負對數（log）的度量單位。pH值分0~14擋，pH值為7.0則水為中性；pH值小於7.0，則水為酸性的；pH值大於7.0。則水為鹼性的。

13、鹼度

鹼度：鹼度是指水中能夠接受[H+]離子與強酸進行中和反應的物質含量。水中產生鹼度的物質主要由碳酸鹽產生的碳酸鹽鹼度和碳酸氫鹽產生的碳酸氫鹽鹼度，以及由氫氧化物存在而產生的氫氧化物鹼度。

14、SDI

SDI：污染指數—用於測量反滲透系統所用原水中懸浮固體的數量。

15、臭氧

臭氧：氧的一種不穩定的、高活性的形式，它是由自然雷電或高壓電荷通過空氣所產生的，是一種優良的氧化劑和消毒劑。

16、余氯

余氯：水經過加氯消毒，接觸一定時間後，水中所余留的有效氯。

17、總大腸桿菌數

總大腸桿菌：總大腸菌群系指一群需氧及兼性厭氧的，在37℃生長時能使乳糖發酵，在24h內產酸產氣的革氏陰性無芽胞桿菌。總大腸菌群系指每升水樣中所含有的總大腸菌群的數目。

18、回收率

回收率：指系統產出的產品水的流量與進水流量的比值。

19、脫鹽率：

脫鹽率：反映膜的性能的參數，通常一級RO膜系統脫鹽率在97%以上。可以簡單計算：（原水電導率-產品水的電導率）/原水電導率。

20、 含鹽量

含鹽量：水的含鹽量也稱礦化度，是表示水中所含鹽類的數量。由於水中各種鹽類一般均以離子的形式存在，所以含鹽量也可以表示為水中各種陽離子的量和陰離子的量的和。

21、 沉澱

沉澱：廢水處理的技術方法之一。可分為物理沉澱和化學沉澱兩種作用。通常所指的沉澱是物理沉澱，即重力分離的方法。它是利用廢水中懸浮物與水的比重不同，借重力沉降或上浮的作用，從水中分離出來。化學沉澱是在廢水中投加某種化學葯劑，使之與廢水中的溶解物質發生化學反應，生成難溶於水的化合物而析出沉澱。

22、 中水

「中水」的定義有多種解釋，在污水工程方面稱為「再生水」，工廠方面稱為「回用水」，一般以水質作為區分的標志。其主要是指城市污水或生活污水經處理後達到一定的水質標准，可在一定范圍內重復使用的非飲用水。再生水水質介於上水（飲用水）和下水（生活污水之間），這也是中水得名的由來，人們又將供應中水的系統稱為中水系統。

23、 有機物污染

有機物污染：是指以碳水化合物、蛋白質、氨基酸以及脂肪等形式存在的天然有機物質等某些其它可生物降解的人工合成有機物質。主要來源於生活污水和工業廢水。

24、 濃差極化

濃差極化：反滲透在運行狀況下，膜表面鹽類被濃縮，同進水中的鹽類之間存在濃度差，若濃水流量小，流速低時，高含量鹽類的水不能被及時帶走，在膜表面會形成很高的濃度差，阻礙了鹽分的擴散，這種現象叫濃差極化。

25、 懸浮物（SS）

懸浮物（SS）：指懸浮在水中的固體物質，包括不溶於水中的無機物、有機物及泥砂、粘土、微生物等。水中懸浮物含量是衡量水污染程度的指標之一。它是水樣過濾後在103-105度溫度下把濾紙上截留物烘乾所得的固體量。單位mg/l。

26、 曝氣

曝氣：使空氣中O2轉移到混合液中而被微生物利用的過程。目的是提供活性污泥等微生物所需的溶解氧，保障微生物代謝過程的需氧量。

27、 生化需氧量（BOD）

生化需氧量（BOD）：是指在規定時間、規定溫度、規定條件下微生物在分解、氧化水中有機物的過程中，所消耗的溶解氧量，通常所用時間為5天，溫度20℃，簡記BOD5，單位mg/L。

28、 化學需氧量（COD）

化學需氧量（COD）：是指在一定條件下，用強氧化劑氧化廢水中的有機物質所消耗的氧量。廢水檢驗標准一般採用重鉻酸鉀作氧化劑，單位mg/L。

29、水錘

水錘又稱水擊。水（或其他液體）輸送過程中，由於閥門突然開啟或關閉、水泵突然停止、驟然啟閉導葉等原因，使流速發生突然變化，同時壓強產生大幅度波動的現象。

30、吸附

吸附：是指利用多孔性固體吸附廢水中某種或幾種污染物以回收或去除某些污染物，從而使廢水得以凈化的方法。

31、酶酶：是生物細胞中自己製成的一種催化劑（生物催化劑）。其基本成分是蛋白質，是促進生物化學反應速度的物質。

32、污水

污水：污水是指在生產與生活活動中排放的水的總稱。人類在生活和生產活動中，要使用大量的水，這些水往往會受到不同程度的污染，被污染的水稱為污水。

33、污水處理

污水處理：就是採用各種技術和手段，將污水中所含的污染物質分離去除、回收利用或將其轉化為無害物質，使水得到凈化。

34、污水回用

污水回用：將污水或廢水經二級處理和深度處理後回用於生產系統或生活雜用被稱為污水回用。當處理出水滿足特定回用要求，並以回用時，也可稱為再生水。

35、水垢

水垢：即由於鍋爐水水質不良，經過一段時間運行後，在受熱面與水接觸的管壁上生成的固態附著物。

36、水渣

水渣：是指在爐水中呈懸浮狀態的固體物質和沉積在汽包、下聯箱底部等水流緩慢處的沉渣。於水垢區別：水渣比較鬆散，呈懸浮或沉渣狀態，且有一部分易隨鍋爐排污排掉；而水垢能牢固地粘結在管壁上，不易排掉。

37、鐵、錳、鋁

微量的鐵和錳即會造染色，結垢和味道等問題，鐵在還原狀態之環境下是以水可溶性的二價鐵形式存在，當和空氣接觸後會逐漸氧化成黃棕色膠體狀的三價鐵，最後沉澱為棕色的氫氧化鐵。 錳的特性和鐵類似，由於鐵、錳、鋁的氧化物也是RO膜結垢的原因之一，故有必要分析其含量。

38、純水

純水是指既將水中易去除的強電介質去除，又將水中難以除去的硅酸及二氧化碳等弱電解質去除至一定程度的水。純水的含鹽量在1.0mg/L以下,電導率小於3μs/cm。

39、超純水

超純水又稱高純水，是指將水中的導電介質幾乎全部去除，又將水中不離解的膠體物質、氣體和有機物均去除至很低程度的水，。超純水的含鹽量在0. 1mg/L以下,電導率小於0. 1μs/cm。

純水和超純水除了對含鹽量或電導率有嚴格要求外，對水中各種金屬離子含量，有機物含量、微粒粒徑及數量和微生物數量也有嚴格指標限制。

40、蒸餾水

蒸餾水是將原水加熱汽化，再將蒸汽冷凝成的水稱為蒸餾水。一般蒸餾水電導率為10μs/cm左右，將一次蒸餾水再次蒸餾得到二次蒸餾水，多次蒸餾得到多次蒸餾水，電導率可降至很低達1.0μs/cm左右。

㈥ 半導體晶片的高清潔度清洗方式是什麼

目前晶圓清洗技術大致可分為濕式與乾式兩大類，目前仍以濕式清洗法為主流。
1. 濕式清洗技術 

濕式清洗技術，是以液狀酸鹼溶劑與去離子水之混合物清洗晶圓表面，隨後加以潤濕再乾燥的程序。大體分為以下兩種：
(1) 濕式化學清洗
(2) 濕式程序中清除微粒的技術
2. 乾式表面清洗技術 
乾式晶圓清除技術而言，去除的方式主要有三： (a)將污染物轉換成揮發性化合物。 (b)利用動量使污染物直接揚起而去除。 (c)應用加速離子，使污染物破碎。大體分為以下兩種：
(1) 乾式表面污染物清除技術 
(2) 乾式表面微粒清除技術

㈦ 生產一顆CPU晶元需要多少水

生產一個2克重的計算機晶元,需要32公斤水資源,也就是0.032噸水。在晶圓上燒刻電路圖案需要用大量的超純水沖洗,一個矽片需要3到4個月的時間才能加工為成品。

一項研究結論指出：「與硬體使用和能源消耗相比，晶元製造是碳排放的主要來源。」最先進的晶元製造商比一些傳統的重污染行業的碳排放量更大。

在晶圓上燒刻電路圖案需要用大量的超純水沖洗，一個矽片需要3到4個月的時間才能加工為成品，每做出一批矽片都要消耗大量的電力和水，排出更多的溫室氣體。

台積電一年的耗水量在160億到170億噸之間。其耗水量差不多達到半個三峽大壩的總蓄水量。同時在晶元半導體的生產加工過程中，對於水質的要求越來越高。為了保證生產出超大規模的集成電路，除高純原材料、高純氣體、高純化學葯品外，超純水也是其中最關鍵的因素之一。

㈧ 怎樣保持電子晶圓超純水系統能夠正常運行呢

1、超純水系統的機械過濾器定期反洗.反洗時進行壓縮空氣氣體摩擦,反洗合格後靜置10min左右再正洗,正洗出水合格後方可投入使用,勿將空氣帶入反滲透.在不影響sdi值的情況下,盡可能延長機械過濾器的運行時間,這樣既減少了切換過濾器對出水水質的沖擊,又節約了大量反洗用水。
2、定期檢查、及時更換精密過濾器濾芯,防止濾芯因安裝或質量問題發生泄露所引起的反滲透膜的顆粒污染.當精密過濾器進口壓差大於0.15mpa時,應更換濾芯.一般應每月檢查一次,2～3個月更換一次濾芯.運行時還應經常檢查精密過濾器內是否有氣體,不能讓空氣帶入反滲透膜.對備用或長期停運的精密過濾器,要採取加甲醛保護的方法防止細菌大量繁殖。
3.、壓泵入口壓力應至少大於0.05mpa,防止空氣或精密過濾器前截留物被高壓泵抽入反滲透膜。
4、停用的超純水系統應定期低壓沖洗,尤其夏天,應做到每班沖洗一次.如停運時間大於7天,應採用0.5%～1%的亞硫酸氫鈉或0.5%～1%的甲醛溶液對反滲透膜進行保護.並應及時檢測保護液的ph值和濃度。

5、定期對給水水質進行化驗分析,根據實際情況及時調整絮凝劑、殺菌劑、還原劑及阻垢劑的加葯量.防止絮凝劑穿透過濾器與阻垢劑反應影響阻垢效果,或污染反滲透膜;防止殺菌劑用量不足而使反滲透膜受細菌污染,或因殺菌劑過量而使膜被氧化;防止阻垢劑含量不足使濃水結垢而導致膜化學污染。

6、當與初始投用狀態相比,標准化的反滲透裝置產水量下降10%,或在特定條件下產水含鹽量明顯上升,或壓差增加了15%時,應對反滲透膜進行及時清洗。