① 矽片後道的主要工序是什麼啊
從多晶硅到單晶硅棒再到切(硅)片這一段是用不到金剛石砂輪的!我們公司就是從事光伏產品的製造! 從多晶硅-單晶硅-切片都做的!
目前超過98％的電子元件材料全部使用單晶硅。其中用CZ法佔了約85％，其他部份則是由浮融法FZ生長法。CZ法生長出的單晶硅，用在生產低功率的集成電路元件。而FZ法生長出的單晶硅則主要用在高功率的電子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半導體工業採用，主要在於它的高氧含量提供了晶片強化的優點。另外一個原因是CZ法比FZ法更容易生產出大尺寸的單晶硅棒。
目前國內主要採用CZ法
CZ法主要設備：CZ生長爐
CZ法生長爐的組成元件可分成四部分
（1）爐體：包括石英坩堝，石墨坩堝，加熱及絕熱元件，爐壁
（2）晶棒及坩堝拉升旋轉機構：包括籽晶夾頭，吊線及拉升旋轉元件
（3）氣氛壓力控制：包括氣體流量控制，真空系統及壓力控制閥
（4）控制系統：包括偵測感應器及電腦控制系統
加工工藝：
加料→熔化→縮頸生長→放肩生長→等徑生長→尾部生長
（1）加料：將多晶硅原料及雜質放入石英坩堝內，雜質的種類依電阻的N或P型而定。雜質種類有硼，磷，銻，砷。
（2）熔化：加完多晶硅原料於石英堝內後，長晶爐必須關閉並抽成真空後充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內，然後打開石墨加熱器電源，加熱至熔化溫度（1420℃）以上，將多晶硅原料熔化。
（3）縮頸生長：當硅熔體的溫度穩定之後，將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由於籽晶與硅熔體場接觸時的熱應力，會使籽晶產生位錯，這些位錯必須利用縮勁生長使之消失掉。縮頸生長是將籽晶快速向上提升，使長出的籽晶的直徑縮小到一定大小（4-6mm）由於位錯線與生長軸成一個交角，只要縮頸夠長，位錯便能長出晶體表面，產生零位錯的晶體。
（4）放肩生長：長完細頸之後，須降低溫度與拉速，使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。
（5）等徑生長：長完細頸和肩部之後，借著拉速與溫度的不斷調整，可使晶棒直徑維持在正負2mm之間，這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶矽片取自於等徑部分。
（6）尾部生長：在長完等徑部分之後，如果立刻將晶棒與液面分開，那麼效應力將使得晶棒出現位錯與滑移線。於是為了避免此問題的發生，必須將晶棒的直徑慢慢縮小，直到成一尖點而與液面分開。這一過程稱之為尾部生長。長完的晶棒被升至上爐室冷卻一段時間後取出，即完成一次生長周期。
單晶硅棒加工成單晶硅拋光矽片
加工流程：
單晶生長→切斷→外徑滾磨→平邊或V型槽處理→切片
倒角→研磨 腐蝕--拋光→清洗→包裝
切斷：目的是切除單晶硅棒的頭部、尾部及超出客戶規格的部分，將單晶硅棒分段成切片設備可以處理的長度，切取試片測量單晶硅棒的電阻率含氧量。
切斷的設備：內園切割機或外園切割機
切斷用主要進口材料：刀片
外徑磨削：由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑滾磨可以獲得較為精確的直徑。
外徑滾磨的設備：磨床
平邊或V型槽處理：指方位及指定加工，用以單晶硅捧上的特定結晶方向平邊或V型。
處理的設備：磨床及X－RAY繞射儀。
切片：指將單晶硅棒切成具有精確幾何尺寸的薄晶片。
切片的設備：內園切割機或線切割機
倒角：指將切割成的晶片稅利邊修整成圓弧形，防止晶片邊緣破裂及晶格缺陷產生，增加磊晶層及光阻層的平坦度。
倒角的主要設備：倒角機
研磨：指通過研磨能除去切片和輪磨所造的鋸痕及表面損傷層，有效改善單晶矽片的曲度、平坦度與平行度，達到一個拋光過程可以處理的規格。
研磨的設備：研磨機（雙面研磨）
主要原料：研磨漿料（主要成份為氧化鋁，鉻砂，水），滑浮液。
腐蝕：指經切片及研磨等機械加工後，晶片表面受加工應力而形成的損傷層，通常採用化學腐蝕去除。
腐蝕的方式：（A）酸性腐蝕，是最普遍被採用的。酸性腐蝕液由硝酸（HNO3），氫氟酸（HF），及一些緩沖酸（CH3COCH，H3PO4）組成。
（B）鹼性腐蝕，鹼性腐蝕液由KOH或NaOH加純水組成。
拋光：指單晶矽片表面需要改善微缺陷，從而獲得高平坦度晶片的拋光。
拋光的設備：多片式拋光機，單片式拋光機。
拋光的方式：粗拋：主要作用去除損傷層，一般去除量約在10－20um；
精拋：主要作用改善晶片表面的微粗糙程度，一般去除量1um以下
主要原料：拋光液由具有SiO2的微細懸硅酸膠及NaOH（或KOH或NH4OH）組成，分為粗拋漿和精拋漿。
清洗：在單晶矽片加工過程中很多步驟需要用到清洗，這里的清洗主要是拋光後的最終清洗。清洗的目的在於清除晶片表面所有的污染源。
清洗的方式：主要是傳統的RCA濕式化學洗凈技術。
主要原料：H2SO4，H2O2，HF，NH4HOH，HCL
（3）損耗產生的原因
A.多晶硅--單晶硅棒
多晶硅加工成單晶硅棒過程中：如產生損耗是重摻堝底料、頭尾料則無法再利用，只能當成冶金行業如煉鐵、煉鋁等用作添加劑；如產生損耗是非重摻堝底料、頭尾料可利用製成低檔次的硅產品，此部分應按邊角料征稅。
重摻料是指將多晶硅原料及接近飽和量的雜質（種類有硼，磷，銻，砷。雜質的種類依電阻的N或P型）放入石英坩堝內溶化而成的料。
重摻料主要用於生產低電阻率（電阻率＜0.011歐姆／厘米）的矽片。
損耗：單晶拉制完畢後的堝底料約15％。
單晶硅棒整形過程中的頭尾料約20％。
單晶整形過程中（外徑磨削工序）由於單晶硅棒的外徑表面並不平整且直徑也比最終拋光晶片所規定的直徑規格大，通過外徑磨削可以獲得較為精確的直徑。損耗約10％-13％。
希望能對你有幫助!
② 矽片清洗超純水設備用的儀表，有什麼
給水電導率表可設置報警，從給水電導率和產品水電導率可估計出RO的脫鹽率。
3、壓力表
出水壓力表、給水壓力表、排水壓力表用於計算設備的每一段壓降，對產水量和鹽透率維持穩定起到重要作用。
③ 矽片發白，怎麼返洗啊。 DY-120B是啥成分
DY-120B和DY-120A混合液對矽片進行清洗，主要成分一種有機物，洗後矽片發白，主要原因是DY-120B和DY-120A混合液沒清洗干凈，中間純水（一般用60-80度的水洗）清洗工藝沒調好！被此污染的矽片不能再用混合液清洗（洗不掉了），需用高溫燃燒有機物處理，然後給電池片企業植絨加大減重量（或過高溫燒結爐處理後植絨可以解決）；我遇到過，也試驗過！！！
望採納，現在光伏問題回答了都不採納，光伏問題我們可以互相探討！
④ 矽片是如何和清洗的
1. 清洗矽片並准備掩膜：
1）濃H2SO4/H2O2=3﹕1，15min（配1次洗液可以用1周；H2O2 30%）；
2）打開電熱板調至200℃；掩膜准備；
2. 超純水清洗矽片；
注釋：用鑷子夾著矽片，不能使矽片放干；
3. 無水乙醇清洗矽片，1min（搖動或超聲），不用水洗！
4. 丙酮清洗矽片，1min（搖動或超聲）；
5. 超純水清洗；
6. 吸水紙吸取邊緣水分（勿放於吸水紙上）；
7. 用鑷子夾住矽片，氮氣吹乾或者放在200℃電熱板上方（不能接觸），待徹底干後，放在電熱板上5min；
⑤ 矽片清洗用純水的電導率多少為宜
理想純水(理論上)電導率為0.055 uS/cm，電阻率（25℃）為18.3x106Ω•cm。實際上＜2μS/cm到＜0.1μS/cm的都有，一般沒有太大影響。
⑥ 單晶硅的工業用水 循環水處理系統都有哪些設備
如果你能純水 當然是最好啦 如果你能堅持水池半年一清洗 一個月換一次水的話 看到水池有漂浮物記得打撈 自來水也可以
⑦ 半導體超純水設備的價格為何會有很大的差別
當前國內半導體行業應用的超純水設備一般有前端預處理及RO、回EDI提純等工序。
1.根據超純水設答備的材質不同，選用的RO膜的品牌不同以及EDI模塊的噸位及品牌區別，價格上也有很大的差距。
2.其中價格中膜元件及設備材質因素會極大地影響整體設備的價格。
3.具體的加工工藝以及廠家報價也會對價格有所影響。
詳情可見官網：網頁鏈接
⑧ 矽片清洗為什麼會出現花片矽片邊緣與中間產生色差是什麼原因造成的矽片的切割面上出現水紋印是為什麼
矽片清洗出現花片是因為IPA加多了,制紱時間太段,需補加KOH或NAOH
QQ444092852
⑨ 矽片清洗超純水設備廠家，哪家質量好
LTLD矽片清洗超來純水設源備性能優勢：
1、矽片清洗超純水設備中反滲透系統採用全自動方式控制，主要元件採用進口元件，穩定性高，操作簡單方便。
2、矽片清洗超純水設備使用專用濃水調節閥，操作方便。
3、矽片清洗超純水設備配備有紫外線及膜濾器，防止細菌對EDI及水質的影響。
4、矽片清洗超純水設備通過專業技術，確保EDI系統短時停機或長時間停機時水質保持穩定。
5、矽片清洗超純水設備採用原裝進口EDI膜堆，性能穩定，使用壽命長，連續出水水質穩定無波動，專利「全填充」濃水室，不需加鹽和濃水循環。
6、矽片清洗超純水設備中的EDI流量計採用帶磁感應浮子流量計，可預防因濃水通道堵塞或其他設備故障引起的無濃水產水而對膜堆造成的損壞。
7、矽片清洗超純水設備具有無水保護和高、低壓力保護等多種裝置安全功能。
8、矽片清洗超純水設備所有控制採用全自動方式，主要元件採用進口元件，穩定性高，操作簡單方便。