頁面交錯過濾對性能

㈠ 求助，開頁框交錯過濾會卡頓

"電腦運行卡頓通常是驅動程序、啟動項載入較多、軟體沖突、系統問題引起的。

1、驅動程序建議在華碩官網下載安裝，避免第三方軟體更新的驅動不兼容。

2、查看控制面板---程序---卸載---是否有安裝一些不需要的軟體或類似軟體，如果殺毒軟體或優化軟體有多個，可以卸載，只保留一個。

3、建議關閉部分啟動項：開始---運行---msconfig,一些不重要的啟動項、或第三方軟體程序前面的「勾選」去掉取消。

4、系統方面，建議使用預裝系統或純凈版系統，避免ghost版本系統兼容性和穩定性不是很好。"

㈡ 怎樣提高cpu和內存的性能

你是想超頻吧?
在BIOS看看有沒內存超頻的選項.看看這個吧:

一：關於內存超頻與設置的基礎知識

在我們進行內存的選購之前，我們要對影響內存性能的一些基本知識進行一個了解，下面這十點，使筆者通過反復論證得到的結果，請大家務必了解。

1、對內存的優化要從系統整體出發，不要局限於內存模組或內存晶元本身的參數，而忽略了內存子系統的其他要素。

2、目前的晶元組都具備多頁面管理的能力，所以如果可能，請盡量選擇雙 P-Bank 的內存模組以增加系統內存的頁面數量。但怎麼分辨是單 P-Bank 還是雙 P-Bank 呢？就目前市場上的產品而言 ，256MB 的模組基本都是單 P-Bank 的，雙面但每面只有 4 顆晶元的也基本上是單 P-Bank 的，512MB 的雙面模組則基本都是雙 P-Bank的。

3、頁面數量的計算公式為： P-Bank 數量 X4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的雙通道平台，則還要除以 2。比如兩條單面 256MB 內存，就是 2X4=8 個頁面，用在 875 上組成雙通道就成了 4 個頁面。

4、CL、tRCD、tRP 為絕對性能參數，在任何平台下任何時候，都應該是越小越好，調節的優化順序是 CL → tRCD → tRP。

5、當內存頁面數為 4 時 ，tRAS 設置短一些可能會更好，但最好不要小於 5。另外，短 tRAS 的內存性能相對於長 tRAS 可能會產生更大的波動性，對時鍾頻率的提高也相對敏感。

6、當內存頁面數大於或等於 8 時，tRAS 設置長一些會更好。

7、對於 875 和 865 平台，雙通道時頁面數達到 8 或者以上時，內存性能更好。

8、對於非雙通道 Pentium4 與 AMD 64 平台，tRAS 長短之間的性能差異要縮小。

9、Pentium4 或 AMD 64 的雙通道平台下 ，BL=4 大多數情況下是更好的選擇，其他情況下 BL=8 可能是更好的選擇，請根據自己的實際應用有針對的調整。

10、適當加大內存刷新率可以提高內存的工作效率，但也可能降低內存的穩定性。

二、BIOS中內存相關參數的設置要領

Automatic Configuration「自動設置」（可能的選項：On/ Off或Enable/Disable）

可能出現的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手動調整你的內存時序，你應該關閉它，之後會自動出現詳細的時序參數列表。

Bank Interleaving（可能的選項：Off/Auto/2/4）

這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內存晶元都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少定址沖突，提高效率，建議設為4（Auto也可以，它是根據SPD中的L-Bank信息來自動設置的）。

Burst Length「突發長度」（可能的選項：4/8）

一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平台，建議設為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平台，建議設為4。但具體的情況要視具體的應用而定。

CAS Latency 「列地址選通脈沖潛伏期」（可能的選項：1.5/2/2.5/3）

BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。

Command Rate「首命令延遲」（可能的選項：1/2）

這個選項目前已經非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR內存的定址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然後才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行激活命令，單位是時鍾周期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制晶元組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長 。目前的大部分主板都會自動設置這個參數，而從上文的ScienceMark 2.0測試中，大家也能察覺到容量與延遲之間的關系。

RAS Precharge Time 「行預充電時間」（可能的選項：2/3/4）

BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。

RAS-to-CAS Delay「行定址至列定址延遲時間」（可能的選項：2/3/4/5）

BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。

Active to Precharge Delay「行有效至行預充電時間」（可能的選項：1……5/6/7……15）

BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根據上文的分析，這個參數要根據實際情況而定，具體設置思路見上文，並不是說越大或越小就越好。

三、認清影響內存性能的關鍵

在講完 SDRAM 的基本工作原理和主要操作之後，我們現在要重要分析一下 SDRAM 的時序與性能之間的關系，它不再局限於晶元本身，而是要從整體的內存系統去分析。這也是廣大 DIYer 所關心的話題。比如 CL 值對性能的影響有多大幾乎是每個內存論壇都會有討論，今天我們就詳細探討一下。這里需要強調一點，對於內存系統整體而言，一次內存訪問就是對一個頁 （Page）的訪問。由於在 P-Bank 中，每個晶元的定址都是一樣的，所以可以將頁訪問「濃縮」等效為對每晶元中指定行的訪問，這樣可能比較好理解。但為了與官方標准統一，在下文中會經常用頁來描述相關的內容，請讀者注意理解。

可能很多人還不清楚頁的概念，在這里有必要先講一講。從狹義上講，內存晶元晶元中每個 L-Bank 中的行就是頁，即一行為一頁。但從廣義上說，頁是從整體角度講的，這個整體就是內存子系統。

對於內存模組，與之進行數據交換的單位就是 P-Bank 的位寬。由於目前還沒有一種內存晶元是 64bit 位寬的，所以就必須要用多個晶元的位寬來集成一個 P-Bank。如我們現在常見的內存晶元是 8bit 位寬的，那麼就需要 8 顆晶元組成一個 P-Bank 才能使系統正常工作。而 CPU 對內存的定址，一次就是一個 P-Bank，P-Bank 內的所有晶元同時工作，這樣對 P-Bank 內所有的晶元的定址都是相同的。比如定址指令是 B1、C2、R6，那麼該 P-Bnak 內的晶元的工作狀態都是打開 B1 的 L-Bank 的第 C2 行。好了，所謂廣義上的頁就是指 P-Bank 所包括的晶元內相同 L-Bank 內的相同工作行的總集合 。頁容量對於內存子系統而言是一個很重要的指標。這個參數取決於晶元的容量與位寬的設計。由於與本文的關系不大，就不具體舉例了。

早期 Intel 845 晶元組 MCH 的資料：它可以支持 2、4、8、16KB 的頁容量

總之，我們要知道，由於定址對同一 L-Bank 內行地址的單一性，所以一個 L-Bank 在同一時間只能打開一個頁面，一個具有 4 個 L-Bank 的內存晶元，可以打開 4 個頁面。這樣，以這種晶元組成的 P-Bank，也就最後具備了 4 個頁面，這是目前 DDR SDRAM 內存模中每個 P-Bank 的頁面最大值。

1、影響性能的主要時序參數

在講完內存的基本操作流程與相關的 tRP、tRCD、CL、BL 之後，我們就開始深入分析這些參數對內存性能的影響。所謂的影響性能是並不是指 SDRAM 的帶寬，頻率與位寬固定後，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內存的工作周期內，不可能總處於數據傳輸的狀態，因為要有命令、定址等必要的過程。但這些操作佔用的時間越短，內存工作的效率越高，性能也就越好。

非數據傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應該很明顯看出有三個參數對內存的性能影響至關重要，它們是 tRCD、CL 和 tRP。按照規定，每條正規的內存模組都應該在標識上註明這三個參數值，可見它們對性能的敏感性。

以內存最主要的操作——讀取為例。tRCD 決定了行定址（有效）至列定址（讀 / 寫命令）之間的間隔 ，CL 決定了列定址到數據進行真正被讀取所花費的時間，tRP 則決定了相同 L-Bank 中不同工作行轉換的速度。現在可以想像一下對某一頁面進行讀取時可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時不用考慮 CL 即可）：

1、要定址的行與 L-Bank 是空閑的。也就是說該 L-Bank 的所有行是關閉的，此時可直接發送行有效命令，數據讀取前的總耗時為 tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁命中 （PH，Page Hit）。

2、要定址的行正好是現有的工作行，也就是說要定址的行已經處於選通有效狀態，此時可直接發送列定址命令，數據讀取前的總耗時僅為 CL，這就是所謂的背靠背 （Back to Back）定址，我們稱之為頁快速命中（PFH，Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH，Page Direct Hit）。

3、要定址的行所在的 L-Bank 中已經有一個行處於活動狀態（未關閉），這種現象就被稱作定址沖突，此時就必須要進行預充電來關閉工作行，再對新行發送行有效命令。結果，總耗時就是 tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁錯失 （PM，Page Miss）。

顯然，PFH 是最理想的定址情況，PM 則是最糟糕的定址情況。上述三種情況發生的機率各自簡稱為 PHR —— PH Rate、PFHR —— PFH Rate、PMR —— PM Rate。因此，系統設計人員（包括內存與北橋晶元）都盡量想提高 PHR 與 PFHR，同時減少 PMR，以達到提高內存工作效率的目的。

2、增加 PHR 的方法

顯然，這與預充電管理策略有著直接的關系，目前有兩種方法來盡量提高 PHR。自動預充電技術就是其中之一，它自動的在每次行操作之後進行預充電，從而減少了日後對同一 L-Bank 不同行定址時發生沖突的可能性。但是，如果要在當前行工作完成後馬上打開同一 L-Bank 的另一行工作時，仍然存在 tRP 的延遲。怎麼辦？ 此時就需要 L-Bank 交錯預充電了。

早期非常令人關注的VIA 4路交錯式內存控制，就是在一個L-Bank工作時，對另一個L-Bank進行預充電或者定址（如果要定址的L-Bank是關閉的)。這樣，預充電與數據的傳輸交錯執行，當訪問下一個L-Bank時，tRP已過，就可以直接進入行有效狀態了，如果配合得理想,那麼就可以實現無間隔的L-Bank交錯讀/寫（一般的，交錯操作都會用到自動預充電）,這是比PFH更好的情況，但它只出現在後續的數據不在同一頁面的時時候。當時VIA聲稱可以跨P-Bank進行16路內存交錯，並以LRU（Least Recently Used，近期最少使用）演算法進行 交錯預充電/定址管理。

L-Bank 交錯自動預充電 / 讀取時序圖： L-Bank 0 與 L-Bank 3 實現了無間隔交錯讀取，避免了 tRP與tRCD對性能的影響 ，是最理想的狀態

3、增加 PFHR 的方法

無論是自動預充電還是交錯工作的方法都無法消除同行（頁面）定址時tRCD 所帶來的延遲。要解決這個問題，就要盡量讓一個工作行在進行預充電前盡可能多的接收工作命令，以達到背靠背的效果，此時就只剩下 CL 所造成的讀取延遲了（寫入時沒有延遲）。

如何做到這一點呢？這就是北橋晶元的責任了。現在我們就又接觸到 tRAS 這個參數，在 BIOS 中所設置的 tRAS 是指行有效至預充電的最短周期，在內存規范中定義為 tRAS（min），過了這個周期後就可以發出預充電指令。對於 SDRAM 和 DDR SDRAM 而言，一般是預充電命令至少要在行有效命令 5 個時鍾周期之後發出，最長間隔視晶元而異（目前的 DDR SDRAM 標准一般基本在 70000ns 左右），否則工作行的數據將有丟失的危險。那麼這也就意味著一個工作行從有效（選通）開始，可以有 70000ns 的持續工作時間而不用進行預充電。顯然，只要北橋晶元不發出預充電（包括允許自動預充電）的命令，行打開的狀態就會一直保持。在此期間的對該行的任何讀寫操作也就不會有 tRCD 的延遲。可見，如果北橋晶元在能同時打開的行（頁）越多，那麼 PFHR 也就越大。需要強調的是，這里的同時打開不是指對多行同時定址（那是不可能的），而是指多行同時處於選通狀態。我們可以看到一些 SDRAM 晶元組的資料中會指出可以同時打開多少個頁的指標，這可以說是決定其內存性能的一個重要因素。

但是，可同時打開的頁數也是有限制的。從 SDRAM 的定址原理講，同一L-Bank 中不可能有兩個打開的行（讀出放大器只能為一行服務），這就限制了可同時打開的頁面總數。以 SDRAM 有 4 個 L-Bank，北橋最多支持 8 個 P-Bank（4 條 DIMM）為例，理論上最多隻能有 32 個頁面能同時處於打開的狀態。而如果只有一個 P-Bank，那麼就只剩下 4 個頁面，因為有幾個 L-Bank 才能有同時打開幾個行而互不幹擾 。Intel 845 的 MHC 雖然可以支持 24 個打開的頁面，那也是指 6 個 P-Bank 的情況下（845MCH 只支持 6 個 P-Bank）。可見 845 已經將同時打開頁數發揮到了極致。

不過，同時打開頁數多了，也對存取策略提出了一定的要求。理論上，要盡量多地使用已打開的頁來保證最短的延遲周期，只有在數據不存在（讀取時）或頁存滿了（寫入時）再考慮打開新的指定頁，這也就是變向的連續讀 / 寫。而打開新頁時就必須要關閉一個打開的頁，如果此時打開的頁面已是北橋所支持的最大值但還不到理論極限的話 （如果已經達到極限，就關閉有沖突的L-Bank內的頁面即可），就需要一個替換策略，一般都是用 LRU 演算法來進行，這與 VIA 的交錯控制大同小異。

回到正題，雖然 tRAS 代表的是最小的行有效至預充電期限，但一般的，北橋晶元一般都會在這個期限後第一時間發出預充電指令（自動預充電時，會在tRAS之後自動執行預充電命令），只有在與其他操作相沖突時預充電操作才被延後（比如，DDR SDRAM 標准中規定，在讀取命令發出後不能立即發出預充電指令）。因此，tRAS 的長短一直是內存優化發燒友所爭論的話題，在最近一兩年，由於這個參數在 BIOS 選項中越來越普及，所以也逐漸被用戶所關注。其實，在 SDRAM 時代就沒有對這個參數有刻意的設定，在 DDR SDRAM 的官方組織 JEDEC 的相關標准中，也沒有把其列為必須標明的性能參數 （CL、tRCD、tRP 才是），tRAS 應該是某些主板廠商炒作出來的，並且在主板說明書上也註明越短越好。

其實，縮小 tRAS 的本意在於，盡量壓縮行打開狀態下的時間，以減少同 L-Bank 下對其他行進行定址時的沖突，從內存的本身來講，這是完全正確的做法，符合內存性能優化的原則，但如果放到整體的內存系統中，伴隨著主板晶元組內存頁面控制管理能力的提升，這種做法可能就不見得是完全正確的，在下文中我們會繼續分析 tRAS 的不同長短設置對內存性能所帶來的影響。

4、BL 長度對性能的影響

從讀 / 寫之間的中斷操作我們又引出了 BL（突發長度）對性能影響的話題。首先，BL 的長短與其應用的領域有著很大關系，下表就是目前三個主要的內存應用領域所使用的 BL，這是廠商們經過多年的實踐總結出來的。

BL與相應的工作領域

BL 越長，對於連續的大數據量傳輸很有好處，但是對零散的數據，BL 太長反而會造成匯流排周期的浪費，雖然能通過一些命令來進行終止，便也佔用了控制資源。以 P-Bank 位寬 64bit 為例 ，BL=4 時，一個突發操作能傳輸 32 位元組的數據，為了滿足 Cache Line 的容量需求，還得多發一次，如果是 BL=8，一次就可以滿足需要，不用再次發出讀取指令。而對於 2KB 的數據 ，BL=4 的設置意味著要每隔 4 個周期發送新的列地址，並重復 63 次。而對於 BL=256，一次突發就可完成，並且不需要中途再進行控制，但如果僅傳輸 64 位元組，就需要額外的命令來中止 BL=256 的傳輸。而額外的命令越多，越佔用內存子系統的控制資源，從而降低總體的控制效率。從這可以看出 BL 對性能的影響因素，這也是為什麼 PC 上的內存子系統的 BL 一般為 4 或 8 的原因。但是不是 8 比 4 好，或者 4 比 8 好

㈢ 看門狗2儀表盤模糊

看門狗2儀表盤模糊，應該是畫面模糊，可能是開了頁框交錯過濾。
把頁框交錯過濾關掉就可以了。
現在各種PC游戲的缺點是優化不好，對配置的要求高。

㈣ 《看門狗2》怎麼提高畫質 fps幀數怎麼提高

第一個是「頁面交錯過濾」，這個一定要打開，打開比沒打開，幀數大概有10幀左右的差距。
第二個是陰影，經過實踐，超級，pcss，hfts這三個選項用我正常人的肉眼基本看不出區別，但後兩個應該是英偉達自己的，千萬別開，負優化，只開超級就行了，幀數差距極值有20幀左右的差距，但畫質完全一模一樣，不信可以站在路邊看陰影。
經過調試上述兩項，其餘全調到頂，現在正常跑路，場景，基本是70+，好的時候是80+，只有到草地才會到55-60（估計草地確實沒優化好）。
另外對幀數沒有太大影響的幾項（確實從事實上證明，別問我為什麼，我也不清楚）後制反鋸齒中的FXAA和SMAA幀數沒多大區別，另外環境光屏蔽，頭燈陰影，這幾項對幀數的影響並不是很大，基本沒有，放心開（至少我這里是的）。
另外，開了頁面交錯過濾後就默認是MSAA的反鋸齒了，不過講真的，多重采樣反鋸齒這東西，不是多路交火，真沒必要去搞，沒見過幾個游戲連這個都能優化的很好的。反鋸齒太吃性能了，而且真的看不出什麼差別。
當然，每個人的配置不同，本文提供的方法不一定全部有效，玩家們可以結合自身的情況進行調整，希望對玩家順暢進行游戲能有幫助。
試下，想在游戲看顯示的話可以試下這個 （游戲）加+

㈤ 看門狗2畫面怎麼設置

看門狗2畫面怎麼設置一直是大家十分關注的問題，看門狗2這款游戲的畫面怎麼設置呢?下面我為大家詳解介紹一下吧。

垂直同步：開啟此項的話畫面會稍微拖慢但能消除轉動視角造成的畫面斷層，N卡用戶建議改用驅動內建的「快速」垂直同步能獲得更流暢的畫面。建議選項：關閉或正常

像素密度：調高像素密度可以減少鋸齒，並且對效能的影響沒有多重采樣抗鋸齒那麼大，開啟頁框交錯過濾因此效能有餘裕的朋友可以開到1.25。建議選項：1.00或1.25

幾何：調高幾何可以增加物體邊緣的圓滑程度，並且畫面會增加少許細節，額外細節調低的朋友幾何可以盡量調高。建議選項：高至超級

額外細節：為所有物體添加一些細節，但如果不是細看其實看不出什麼差別，而且調太高對效能影響頗大。建議選項：0%或40%

地形：地形調高遠處的山看起來顏色比較深，遠處的地面看起來比較不模糊，高與超級差別很小。建議選項：高或超級

植被：植被影響遠距離樹木的描繪程度，設置低與超級在近距離樹木的表現完全一樣，但低設置下近距離的草叢會變粗糙，高與超級差別很小。建議選項：高或超級材質解析度：最直接實際影響到顯存用量的一項，2G顯存的朋友千萬不能設置為高，否則就算你其他項調再低一段時間後還是會卡成幻燈片，開車卡頓的現象大部分也與此項有關，顯存3G以上的建議開高，顯存有8G的再開超級。建議選項：中或高

材質過濾：調高有輕微的銳化效果，設置高與超級下材質幾乎一樣清晰，且此項低與超級佔用的顯存完全相同。建議選項：高至超級

陰影：對效能也有很大影響的`一項，非常高以上的人物倒影比較不模糊，並且樹葉陰影不會閃爍，PCSS或HTFS建議顯卡級別有到gtx1080的再開。建議選項：高至超級

頭燈陰影：被車燈照射的物體也會列入陰影的計算，例如你站在車燈前身後會出現一條長長的影子，對效能影響不大。建議選項：關閉或2輛車

水面：調高水面波光與倒影會變多，水面看起來會更加漂亮。建議選項：高

反射：影響到許多畫面呈現的反射效果，甚至也會影響到水面與空間反射，推薦開高獲得最好的效果。建議選項：高畫面空間反射效果：地面看起來會有潮濕的效果，開啟的話雨天看起來會自然漂亮很多，甚至許多室內的地面反射也會有所改變。建議選項：非常高或超級

舊金山霧景：會在靠海的地方出現雲體霧，但是見到的機率頗低，關閉此項仍能見到一般的霧景，效能有餘裕的話再開啟。建議選項：關閉或開啟

景深：遠距離的景色會模糊掉，畫面太靠近主角的話近景也會模糊，不喜歡這種效果的話可以關閉來獲得2幀。建議選項：關閉或開啟

動態模糊：視角轉動時會出現模糊的特效，開車時速度太快也會出現，但在模糊的瞬間偶爾可能會有一時的卡頓感覺。建議選項：關閉

光暈渲染：畫面增加一些光暈的特效，對效能影響不大。建議選項：開啟

環境光遮蔽：使用越好的環境光遮蔽畫面看起來會越立體，投射的陰影會越深越多，此項對效能的影響還比「陰影」少，且SSBC、HMSSAO、HBAO+消耗的效能其實差不多。建議選項：HBAO+

頁框交錯過濾：開啟此項後幀數會提高20至30幀之多，且畫面若不是很仔細看的話其實沒什麼差別，可謂看門狗2中最先進的技術，顯卡不到gtx1070等級的都應該開啟此項來給其他項目發揮空間。建議選項：開啟

多重采樣反鋸齒：如果關了頁框交錯過濾而要用多重采樣反鋸齒的朋友建議使用TXAAx2反鋸齒就足夠了，再上去對效能影響太大

後制反鋸齒：此項算是輕微的反鋸齒，對效能影響很小。SMAA的畫面比FXAA清晰，且在雨天時SMAA的效果比較好。建議選項：SMAA

亮度：調低此項色彩會變得更濃，陰影會更黑，畫面看起來更立體，但畫面也會變暗。個人調到45%就覺得畫面看上去好多了，此項可依各人喜好作調整

銳利度：調高此項整個畫面甚至材質都會變得更清晰，材質解析度無法調很高的人可以調高銳利度來補，但調太高畫面會變亮且失真，消耗的效能也變多。個人調到10%就覺得很清晰了，此項可依各人喜好作調整。

㈥ 不銹鋼平面濾芯的過濾性能怎麼樣

不銹鋼濾芯（Stainless Steel filter ），具有很好的良好的過濾性能，對2-200um的過濾粒度均可發揮。

不銹鋼濾芯均一的表面過濾性能，主濾材採用多層不銹鋼燒結網，過濾精度為0.5-200um，其外形尺寸可按用戶要求加工。

應用范圍

石油化工、油田管道過濾； 加油設備、工程機械設備燃油過濾； 水處理行業設備過濾；制葯及食品加工領域；也可用於化工液體過濾。 適用於電子、石油、化工、醫葯、食品等工業部門中的預處理和後處理系統上。對含懸浮雜質較低（小於2~5mg/L）的水質進一步凈化。