不合格的原來因很多種，建議說下你的自情況，先把一些常用情況告訴您：
1、如果設備運行良好且純化水不合格的話，就說明反滲透膜組件的脫鹽能力下降，需要更換了。
2、設備運行中的問題：
a、設備運行中突然純水不合格，是因為膜組件的密封圈和連接器出現的問題，建議分段檢查找出異常端，跟換新的配件
b、設備剛開機二級電導率變化很大且很難調節下來，這種說明的問題就是一級後二級前的二氧化碳脫除裝置出現問題，
3、其他問題：
有的時候還會出現電導率合格純化水中的亞硝酸鹽超標或者細菌超標的問題，這種問題一般來源於管道，現在大部分廠家在提供設備的時候，缺乏必要的純化水管道處理，有的廠家可能從來沒處理過，造成設備間斷運行後菌斑形成，這種問題出現後只能大面積的更換純水管道，一般的清潔和消毒都不是十分好用。
4、當然純水設備還會出現很多問題，建議你把您的設備出現的問題詳細說下吧
② 使用超濾+反滲透+混床生產的脫鹽水，為什麼產水TOC含量很高
TOC的概念：總有機碳含量。以碳的含量表示水體中有機物質總量的綜合指標。
TOC可以很直接地用來回表示有機物答的總量。因而它被作為評價水體中有機物污染程度的一項重要參考指標。
您說的工藝的最後一個環節，混床的構成就是樹脂，他就是有機物的重大來源，所以TOC得含量會高。
解決辦法：
1、在系統末端在加個超濾可以解決問題。
2、調整工藝，把混床改為EDI或者雙級反滲透也可以。
③ 反滲透產水二氧化硅高是什麼原因
樓主你好，反滲透產水出現細菌主要有以下幾種可能：
1、反滲透出現生物內污染，生物污染主要發生在一段，容主要體現為一段進水壓力的增加，段間壓差增大，膜生物污染會引起產水生物污染。
2、產水箱要定期殺菌，因為反滲透產水中已沒有餘氯，所以只要產水箱中有少量細菌，極易快速繁殖形成二次污染，因此要及時對產水箱進行殺菌作業。
3、濃水竄入產水，造成產水中含有細菌，這主要發生在膜元件連接密封漏水情況下，同時伴有產水電導率升高。
4、要排除取樣埠污染及取樣器材污染可能性，取樣時要在反滲透近點取水，取樣時要多排放，將取樣管中的殘水排出，取新鮮產水。取樣瓶要做殺菌處理，水樣不要長時間存放，這些都要注意的。
希望對你有所幫助，有疑問可以繼續追問，呵呵。
④ ro反滲透純水機制水不合格原因
1設備中有殘余氣體在高壓下運行，形成氣錘會損壞膜rightleder`
常有兩種情況發生：A、設備排空後，重新運行時，氣體沒有排盡就快速升壓運行。應在2～4bar的壓力下將餘下的空氣排盡後，再逐步升壓運行。B、在預處理設備與高壓泵之間的接頭密封不好或漏水時(尤其是微濾器及其後的管路漏水)當預處理供水不很足時，如微濾發生堵塞，在密封不好的地方由於真空會吸進部分空氣。應清洗或更換微濾器，保證管路不漏。總之，應在流量計中沒有氣泡的情況下逐步升壓運行，運行中發現氣泡應逐漸降壓檢查原因。
2關機時的方法不正確
A、關機時快速降壓沒有進行徹底沖洗。由於膜濃水側的無機鹽的濃度高於原水，易結垢而污染膜。B、用投加化學試劑的預處理水沖洗。因含化學試劑的水在設備停運期間可能引起膜污染。在准備關機時，應停止投加化學試劑，逐步降壓至3bar左右用預處理好的水沖洗10min，直至濃縮水的TDS與原水的TDS很接近為止。
3消毒和保養不力導致微生物的污染
這是復合聚醯胺膜使用中普遍存在的問題，因為聚醯胺膜耐余氯性差，在使用中沒有正確投加氯等消毒劑，加上用戶對微生物的預防重視不夠，容易導致微生物的污染。許多廠家生產的純水微生物超標，就是消毒、保養不力造成的。
⑤ 凈化器的水過濾後比原水tds值高這是什麼原因
0.2-0.5微米的孔徑能截留絕大多數的微生物，因此從這個膜出來的水，不含微生物的；
從你的描述來看，可能有兩個原因：
活性炭有泄漏，造成TDS的升高；
管網內有微生物的生長，一般是指使用超過1個月的機器，在管網中都會有微生物的存在，從管壁上脫落進入水中，造成TDS升高。
⑥ 反滲透膜氯離子超標有什麼辦法解決主要是什麼原因引起的
我們正在上反滲透膜過濾,氯離子是小分子可以透過,所以不行,我們因為我們要用氯離子,所以我可以准確的告訴你能透過,!
⑦ 除鹽水的PH偏高是什麼原因
水中含鹽量較高時，陰床出水通常就會PH偏高，因為水中陰離子將樹脂中OH-交換出來，而當交換出來的OH-無法完全被進水中的H+中和時，就會出現PH偏高的現象。
⑧ 反滲透法制備純化水時常出現硝酸鹽超標現象
你好！
純化水如果只是硝酸鹽超標，有三個原因
一是檢測本身有誤差
二是原水硝酸鹽含量太高
三是膜的脫鹽率下降
如果電導率在二以下那99%的檢測有問題1%管網的問題。
如有疑問，請追問。
⑨ 為什麼混床更換樹脂後，除鹽水中二氧化硅含量超標
混床出來水SiO2超標的原因 ：
1.1除硅系自統不完善。反滲透裝置後續處理直接為二級混床離子交換除鹽. 由於 RO 為物理除鹽,所以一級混床進水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 陰離子,經過混床陰 樹脂的交換後,進入二級混床的主要是 HCOf,HSi03-兩種陰離子,經測定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,這樣在終點到達時,失效的二級混床陰樹脂中,RHSiO,比例高達75%～85%.這時,常規 的再生方法已無法徹底去除硅酸,所以再次投運時會導致混床出水SiO:含量超標, 將這種現象稱之為 "硅污染".硅污染易發生在二級混床的強鹼性陰樹脂中,用正常的再生方法無法徹 底地將這些硅洗脫 來,其結果往往導致陰樹脂的除硅能力較大幅度的下降,再生後混床出水硅含量超標.
2.常規再生方法的不足。 對發生硅污染的混床,常規的再生用鹼量不足以保證再生效果,其原因:不足量的再生液流經樹脂層時先是發生部分硅化合物被再生下來的過程,部分硅化合物仍殘留在樹脂中。