晶元廢水處理工藝

㈠ 水處理設備工作原理

水處理設備工作原理：

RO-反滲透預處理工藝主要為活性炭和精濾。滲透是一種回自然現象：水通過答半透膜，從低溶質濃度一側到高溶質濃度一側，直到溶劑化學位達到平衡。平衡時，膜兩側壓力差等於滲透壓。這就是滲透效應(Osmosis)現象。

反滲透是指如果在高濃度的一邊加壓，便能把以上提及的滲透效應停止並反轉，使水份從高濃度迫往低濃度的一邊，把水凈化。這種現象稱為反滲透(逆滲透)，這種半透膜稱為逆滲透膜。

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設備特點

反滲透水處理設備能過濾掉水中的細菌、病毒、重金屬、農葯、有機物、礦物質和異色異味等，是一種純水，無需加熱即可飲用。它所過濾出的水量的成本很低。生產的純水品質高、衛生指標理想。

反滲透水處理設備是採用先進的反滲透除鹽技術來制備去離子水，是一種純物理過程的制備技術。反滲透純水機組具有能長期不間斷工作，自動化程度高，操作方便，出水水質長期穩定，無污染物排放，製取純水成本低廉等優點。反滲透膜技術在國內醫葯、生物、電子、化工、電廠、污水處理等領域得到了廣泛的運用。

㈡ 工業水處理行業前景怎樣國家對此有怎樣的扶持

在工業廢水這塊，治理需求無處不在。目前，我國已出台10多項工業廢水處回理行業相關標准、30多項答水污染物排放國家環境標准、20多項水污染物排放地方環境標准用於規范指標行業發展。利好政策加碼、行業需求釋放，工業廢水治理逐漸受到重視，發改委和環保部不斷加大對工業廢水行業的投資力度。據數據顯示，預計2020年中國工業廢水處理行業市場容量將達到3800億元。
且隨著近年來我國政府出台了以「水十條」為綱領的各項環保產業政策，加強環保督查及處罰力度，大力支持節能環保產業。作為環保產業的重要領域，水處理行業將成為未來我國經濟發展中必不可缺的朝陽產業。

㈢ 半導體污水處理流程

(1)將半導體器件製造中產生的電鍍廢水和研磨廢水進行混合，形成混合廢水;(2)將步驟(1)的混合廢水泵入浸沒式膜過濾裝置過濾;(3)將經過步驟(2)過濾的水泵入納濾膜過濾裝置過濾，經過納濾膜過濾裝置過濾的水即可直接回用。本發明採用上述半導體加工混合廢水經浸沒式膜過濾裝置過濾及納濾膜過濾裝置過濾處理，可回收大於85%的水資源，回收水質穩定，回收水質完全達到和優於國家標准，整個處理過程未添加任何化學葯劑，不會產生有害的污泥，運行費用較低，濃縮後的污泥無毒、無害，易處理。

㈣ 半導體晶元製造廢水處理方法

晶元製造生產工藝復雜，包括矽片清洗、化學氣相沉積、刻蝕等工序反復交專叉，生產中使屬用了大量的化學試劑如HF、H2SO4、NH3・H2O等。

所以一般晶元製造廢水處理系統有含氨廢水處理系統+含氟廢水處理系統+CMP研磨廢水處理系統。具體方案可以咨詢澤潤環境科技（廣東）有限公司網頁鏈接

㈤ 如何處理半導體(LED)廢水

隨著單個LED光通亮和發光效率的提高，即將進入普通室內照明、台燈、筆記本電腦背光源、大尺寸LED顯示器背光源等市場廣闊。 LED生產過程中絕大部分廢水產生在原材料和晶元製造過程中，分為拉晶、切磨拋和晶元製造，主要含一般酸鹼廢水、含氟廢水、有機廢水、氨氮廢水等幾種水質，在黃綠光晶片製造過程中還會有含砷廢水排出。 2、LED晶元加工廢水特點：主要污染物為LED晶元生產過程中排放的大量有機廢水和酸鹼廢水，另有少量含氟廢水。有機廢水主要污染物為醇、乙醇、雙氧水;酸鹼廢水中主要污染物為無機酸、鹼等。 3、LED切磨拋廢水特點：主要污染物為大量清洗廢水，主要成分為硅膠、弱酸、硫酸、鹽酸、研磨砂等。 4、酸鹼廢水排放：主要包括工藝酸鹼廢水、廢氣洗滌塔廢水、純水站酸鹼再生廢水，採用化學中和法處理。 含砷廢水：主要來自背面減薄及劃片/分割工序，採用化學沉澱法處理。 一般廢水：排放方式均為連續排放，主要指純水站RO濃縮廢水主要污染物為無機鹽類，採用生化法去除。 含氟廢水：主要清洗廢水中含有HF，使用混凝沉澱去除。 高氨氮廢水：使用折點加氯法，將廢水中的氨氮氧化成N2。投加過量氯或次氯酸鈉，使廢水中氨完全氧化為N2的方法，稱為折點氯化法，其反應可表示為： NH4+十1.5HOCl→0.5N2十1.5H2O十2.5H+十1.5Cl-5、案例： 5.1、LED生產加工之藍寶石拉晶廢水 污水水質、水量： 水量：480t/d;20t/h(24小時連續)廢水水質：PH值5.0-10.0無量綱出水要求：達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為：處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應，達到工藝要求後進入有機廢水調節池。人工收集到含氟廢水收集池，加葯劑進行沉澱。上清液達標排放，污泥排入污泥濃縮池處理。 利用有機廢水調節池的池容增加生化處理功能，向池內投加厭氧性水解菌，池內配置穿孔水力攪拌系統以加強傳質，為後繼處理單元提供部分水解處理服務。 廢水經過調節後經泵提升進入進入厭氧水解池。 厭氧水解池採用上向流布水形式，利用循環管網系統加強池底部的混流強度，提高反應器內的傳質效果。利用微生物的水解酸化作用將廢水中難降解的大分子有機物轉化為易降解的小分子有機物，將復雜的有機物轉變成簡單的有機物，提高廢水的可生化性，有利於後續的好氧生化處理。出水自流進入接觸氧化池。接觸氧化池的混合液進入二沉池進行泥水沉澱分離。為保證COD排放達標的處理要求，將二沉池出水導入BAF進行處理。生物曝氣濾池的出水流入清水池，為生物曝氣濾池提供濾料的反沖洗水，其餘的清水達標排放。 5.2、LED生產加工之切磨拋廢水 污水水質、水量： 水量：432t/d;18t/h(24小時連續)廢水水質：1PH值5.0-10.0無量綱出水要求：達到國家廢水二級排放標准(<污水綜合排放標准(GB8978-1996)表4標准)的要求。具體指標為：處理工藝根據業主廢水的水質情況，在吸取以往同類廢水處理裝置設計的成功經驗和一些同類廢水處理裝置的實際運行經驗，設計污水處理主體工藝路線如下： 格柵池+清洗廢水調節池+反應池+物化沉澱池達標排放 污泥處理主體工藝採用工藝路線為： 污泥濃縮+污泥調理+板框壓濾泥餅外運 5.3、LED生產加工之晶元廢水 污水水質、水量： 有機廢水水量：19.4t/h(24小時連續)水質：PH值6.0-8.0無量綱 酸鹼廢水水量：70t/h(24小時連續)水質：PH值4.0-11.0無量綱 含氟廢水水量：4t/h(24小時連續)水質：PH值2.0-4.0無量綱 氟化物≤200mg/L處理工藝酸鹼廢水進入酸鹼廢水調節池後與投加的葯劑進行中和反應，達到工藝要求後達標排放。含氟廢水收集調節後與投加的葯劑反應生成不溶性氟化物沉澱，上清液達標排放。

㈥ 請問半導體工藝廢氣如何處理

半導體廢氣處理廢氣介紹：由於半導體工藝對操作室清潔度要求極高，通常使用風機抽取工藝過程中揮發的各類廢氣，因此半導體行業廢氣排放具有排氣量大、排放濃度小的特點。廢氣排放也以揮發為主。這些廢氣主要可以分為四類：酸性廢氣、鹼性廢氣、有機廢氣和有毒廢氣。廢氣危害：半導體製造工藝中產生的廢氣如果沒有經過很好的處理進行排放，將造成嚴重的問題，不僅影響人們的身體健康，惡化大氣環境，造成環境污染的公害事件等，也會成為半導體製造中AMC污染的重要來源。處理方法：依據這些廢氣的特性，在處理上採用水洗、氧化/燃燒、吸附、解離、冷凝等方法，針對不同污染物，可採取以下綜合處理方法：1.一般排氣系統 2.酸性、鹼性廢氣處理系統 3.有機廢氣處理系統

㈦ 反滲透設備工作原理簡介

反滲透是一種藉助於選擇透過（半透過）性膜的工力能以壓力為推動回力的膜分離技答術，當系統中所加的壓力大於進水溶液滲透壓時，水分子不斷地透過膜，經過產水流道流入中心管，然後在一端流出水中的雜質，如離子、有機物、細菌、病毒等，被截留在膜的進水側，然後在濃水出水端流出，從而達到分離凈化目的。