單晶硅廢水

『壹』 中國給誰排水 多晶硅企業生產廢水處理工程實例

截止到2015年6月太陽能電池概念股及太陽能電池上市公司一覽：

1,天威保變（600550）參股25.99%的天威英利主要生產硅太陽能電池，目前矽片年產能70兆瓦、電池60兆瓦、組件100兆瓦，參股35.66%的新光硅業的在建項目投產後可年產多晶硅1260噸。此外，天威保變出資組建樂山樂電天威硅業科技有限責任公司新建3000噸/年多晶硅項目；與川投集團、岷江水電在成都市新津新建3000噸/年多晶硅項目。

2,川投能源（600674）
2008 年1月收購新光硅業38.9%股權。新光硅業承建的1260噸/年多晶硅項目是目前中國最大的多晶硅生產項目，項目概算總投資約12.9億元，從2007 年2月底投料試車成功到07年9月底，該公司共生產出多晶硅約69噸，計劃2007年全年累計生產200噸。

3,通威股份（600438）
公司2008年2月公司以1.91億元收購永祥公司50%股份，永祥公司全資子公司―――永祥多晶硅公司年產1000噸多晶硅項目計劃2008年6月投產，一期1000噸多晶硅項目投產後計劃建設二期3個3000噸多晶硅項目。

4,生益科技（600183）
公司控股了國內產量最大, 品種最全的硅微粉生產企業東海硅微粉有限公司.目前,公司持有連雲港東海硅微粉有限公司72.73%股份,為其控股股東。連雲港東海硅微粉有限公司是國內最早從事電子級硅微粉生產、研發的企業，發展速度快,是目前國內產量最大,品種最全，市場佔有率最高的硅微粉生產企業.由於硅原料工藝包括硅礦, 工業硅,硅微粉及至多晶硅的四個環節,硅微粉也是生產多晶硅的重要原料之一.而多晶硅則是光伏產業太陽能電池的主要原材料。

5,樂山電力（600644）
出資2.55億元（佔51%）與天威保變組建樂電天威硅業公司建設、經營樂山3000噸/年多晶硅項目。項目預計總投資約22億元，投資期預計為兩年，第三年投產，第四年當年生產負荷達到設計能力的80%，第五年直至以後生產負荷為100%。

6,岷江水電（600131）
出資13230萬參股天威四川硅業有限責任公司(佔14%)投資新津3000噸/年多晶硅項目。新津3000噸/年多晶硅項目工程擬總投資26.75億元。項目擬定總投資約27億元，公司出資比例為14%。該項目建設期為2年，第5年達到設計生產能力。

7,南玻A（000012）
2006年6月總投資60億元多晶硅材料及太陽能電池投資項目在香港簽約，在湖北宜昌投資建設高純多晶硅材料及太陽能電池產業兩個項目，總規模年產5000噸高純多晶硅、450兆瓦太陽能電池組件。

8,航天機電（600151）
公司控股子公司上海太陽能科技公司(佔70%)是國內最大太陽能產品技術研發和生產銷售公司，產量首次達到10兆瓦，相當於全國太陽能總產能50%以上。公司全資子公司神州新能源在內蒙古建設1500噸/年多晶硅生產裝置，總投資約18億元。

9,江蘇陽光（600220）
公司投巨資共同設立寧夏陽光硅業公司生產多晶硅，公司佔65%。多晶硅是生產單晶硅的直接原料，是當代人工智慧、自動控制、信息處理等半導體器件的電子信息基礎材料，被稱為微電子大廈的基石，而最重要的是多晶硅是太陽能的核心原材料，目前我國多晶硅基本依賴進口，而由於技術壟斷，公司發展前景非常看好。公司新設立的子公司未來規模年產多晶硅4000噸，項目已經開工，預計今年年底完工。公司首期規模年產多晶硅1000噸，以及配套新建2*15萬千瓦自備電廠、氫氣廠等，一旦建設完成，屆時公司有望在多晶硅領域將成為國內乃至亞洲地區規模最大的企業，並成為太陽能上游資源的壟斷龍頭。

10,特變電工（600089）
特變電工在1月18日與峨嵋半導體研究所、新疆特變（集團）有限公司特變集團、上海宏聯創業投資有限公司簽署了《特變電工多晶硅公司出資協議書》，上述四家公司將共同出資4億元設立多晶硅公司。其中，特變電工以3億元的出資額佔有多晶硅公司注冊資本的75%。多晶硅公司成立後，擬投資建設1500噸/年多晶硅項目，而根據可行性分析報告，該項目固定資產投資140681萬元，除本次股東出資40000萬元，其餘資金通過銀行貸款及其他方式解決。

11,拓日新能（002218）
公司是一家集研發、生產、銷售非晶硅、單晶硅、多晶硅太陽能電池晶元、太陽能電池組件以及太陽能電池應用產品為一體高新技術企業，形成從電池晶元、電池組件到終端應用產品完整產業鏈，主要產品包括太陽能電池晶元、太陽能電池組件、太陽能燈具、太陽能充電器、太陽能戶用電源系統等。

12,,鄂爾多斯（600295）
公司硅鐵產量今年可以達到53.5萬噸，處於全球第一。2008~2009年硅鐵產品將是公司主要利潤增長源泉。通過定向增發計劃進入多晶硅產業，將為公司發展增添後勁。公司利用生產工業硅和電能優勢介入多晶硅，第一期年產3000噸，計劃2009 年10月份投產。

『貳』 單晶硅，多晶硅生產流程。

其實現在多晶硅生產方法有好幾種的，給你附一張最主流的改良西門法生產多晶硅的流程（推薦一個論壇：海川化工論壇 http://bbs.hcbbs.com）： 1 、 氫氣制備與凈化工序
在電解槽內經電解脫鹽水製得氫氣。電解製得的氫氣經過冷卻、分離液體後，進入除氧器，在催化劑的作用下，氫氣中的微量氧氣與氫氣反應生成水而被除去。除氧後的氫氣通過一組吸附乾燥器而被乾燥。凈化乾燥後的氫氣送入氫氣貯罐，然後送往氯化氫合成、三氯氫硅氫還原、四氯化硅氫化工序。
電解製得的氧氣經冷卻、分離液體後，送入氧氣貯罐。出氧氣貯罐的氧氣送去裝瓶。
氣液分離器排放廢吸附劑、氫氣脫氧器有廢脫氧催化劑排放、乾燥器有廢吸附劑排放，均供貨商回收再利用。
2、氯化氫合成工序
從氫氣制備與凈化工序來的氫氣和從合成氣干法分離工序返回的循環氫氣分別進入本工序氫氣緩沖罐並在罐內混合。出氫氣緩沖罐的氫氣引入氯化氫合成爐底部的燃燒槍。從液氯汽化工序來的氯氣經氯氣緩沖罐，也引入氯化氫合成爐的底部的燃燒槍。氫氣與氯氣的混合氣體在燃燒槍出口被點燃，經燃燒反應生成氯化氫氣體。出合成爐的氯化氫氣體流經空氣冷卻器、水冷卻器、深冷卻器、霧沫分離器後，被送往三氯氫硅合成工序。
為保證安全，本裝置設置有一套主要由兩台氯化氫降膜吸收器和兩套鹽酸循環槽、鹽酸循環泵組成的氯化氫氣體吸收系統，可用水吸收因裝置負荷調整或緊急泄放而排出的氯化氫氣體。該系統保持連續運轉，可隨時接收並吸收裝置排出的氯化氫氣體。
為保證安全，本工序設置一套主要由廢氣處理塔、鹼液循環槽、鹼液循環泵和鹼液循環冷卻器組成的含氯廢氣處理系統。必要時，氯氣緩沖罐及管道內的氯氣可以送入廢氣處理塔內，用氫氧化鈉水溶液洗滌除去。該廢氣處理系統保持連續運轉，以保證可以隨時接收並處理含氯氣體。
3、三氯氫硅合成工序
原料硅粉經吊運，通過硅粉下料斗而被卸入硅粉接收料斗。硅粉從接收料斗放入下方的中間料斗，經用熱氯化氫氣置換料斗內的氣體並升壓至與下方料斗壓力平衡後，硅粉被放入下方的硅粉供應料斗。供應料斗內的硅粉用安裝於料斗底部的星型供料機送入三氯氫硅合成爐進料管。
從氯化氫合成工序來的氯化氫氣，與從循環氯化氫緩沖罐送來的循環氯化氫氣混合後，引入三氯氫硅合成爐進料管，將從硅粉供應料斗供入管內的硅粉挾帶並輸送，從底部進入三氯氫硅合成爐。
在三氯氫硅合成爐內，硅粉與氯化氫氣體形成沸騰床並發生反應，生成三氯氫硅，同時生成四氯化硅、二氯二氫硅、金屬氯化物、聚氯硅烷、氫氣等產物，此混合氣體被稱作三氯氫硅合成氣。反應大量放熱。合成爐外壁設置有水夾套，通過夾套內水帶走熱量維持爐壁的溫度。
出合成爐頂部挾帶有硅粉的合成氣，經三級旋風除塵器組成的干法除塵系統除去部分硅粉後，送入濕法除塵系統，被四氯化硅液體洗滌，氣體中的部分細小硅塵被洗下；洗滌同時，通入濕氫氣與氣體接觸，氣體所含部分金屬氧化物發生水解而被除去。除去了硅粉而被凈化的混合氣體送往合成氣干法分離工序。
4、合成氣干法分離工序
從三氯氫硅氫合成工序來的合成氣在此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環回裝置使用。
三氯氫硅合成氣流經混合氣緩沖罐，然後進入噴淋洗滌塔，被塔頂流下的低溫氯硅烷液體洗滌。氣體中的大部份氯硅烷被冷凝並混入洗滌液中。出塔底的氯硅烷用泵增壓，大部分經冷凍降溫後循環回塔頂用於氣體的洗滌，多餘部份的氯硅烷送入氯化氫解析塔。
出噴淋洗滌塔塔頂除去了大部分氯硅烷的氣體，用混合氣壓縮機壓縮並經冷凍降溫後，送入氯化氫吸收塔，被從氯化氫解析塔底部送來的經冷凍降溫的氯硅烷液體洗滌，氣體中絕大部分的氯化氫被氯硅烷吸收，氣體中殘留的大部分氯硅烷也被洗滌冷凝下來。出塔頂的氣體為含有微量氯化氫和氯硅烷的氫氣，經一組變溫變壓吸附器進一步除去氯化氫和氯硅烷後，得到高純度的氫氣。氫氣流經氫氣緩沖罐，然後返回氯化氫合成工序參與合成氯化氫的反應。吸附器再生廢氣含有氫氣、氯化氫和氯硅烷，送往廢氣處理工序進行處理。
出氯化氫吸收塔底溶解有氯化氫氣體的氯硅烷經加熱後，與從噴淋洗滌塔底來的多餘的氯硅烷匯合，然後送入氯化氫解析塔中部，通過減壓蒸餾操作，在塔頂得到提純的氯化氫氣體。出塔氯化氫氣體流經氯化氫緩沖罐，然後送至設置於三氯氫硅合成工序的循環氯化氫緩沖罐；塔底除去了氯化氫而得到再生的氯硅烷液體，大部分經冷卻、冷凍降溫後，送回氯化氫吸收塔用作吸收劑，多餘的氯硅烷液體（即從三氯氫硅合成氣中分離出的氯硅烷），經冷卻後送往氯硅烷貯存工序的原料氯硅烷貯槽。
5、氯硅烷分離提純工序
在三氯氫硅合成工序生成，經合成氣干法分離工序分離出來的氯硅烷液體送入氯硅烷貯存工序的原料氯硅烷貯槽；在三氯氫硅還原工序生成，經還原尾氣干法分離工序分離出來的氯硅烷液體送入氯硅烷貯存工序的還原氯硅烷貯槽；在四氯化硅氫化工序生成，經氫化氣干法分離工序分離出來的氯硅烷液體送入氯硅烷貯存工序的氫化氯硅烷貯槽。原料氯硅烷液體、還原氯硅烷液體和氫化氯硅烷液體分別用泵抽出，送入氯硅烷分離提純工序的不同精餾塔中。
6、三氯氫硅氫還原工序
經氯硅烷分離提純工序精製的三氯氫硅，送入本工序的三氯氫硅汽化器，被熱水加熱汽化；從還原尾氣干法分離工序返回的循環氫氣流經氫氣緩沖罐後，也通入汽化器內，與三氯氫硅蒸汽形成一定比例的混合氣體。
從三氯氫硅汽化器來的三氯氫硅與氫氣的混合氣體，送入還原爐內。在還原爐內通電的熾熱硅芯/硅棒的表面，三氯氫硅發生氫還原反應，生成硅沉積下來，使硅芯/硅棒的直徑逐漸變大，直至達到規定的尺寸。氫還原反應同時生成二氯二氫硅、四氯化硅、氯化氫和氫氣，與未反應的三氯氫硅和氫氣一起送出還原爐，經還原尾氣冷卻器用循環冷卻水冷卻後，直接送往還原尾氣干法分離工序。
還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內熾熱硅芯向爐筒內壁輻射的熱量，維持爐筒內壁的溫度。出爐筒夾套的高溫熱水送往熱能回收工序，經廢熱鍋爐生產水蒸汽而降溫後，循環回本工序各還原爐夾套使用。
還原爐在裝好硅芯後，開車前先用水力射流式真空泵抽真空，再用氮氣置換爐內空氣，再用氫氣置換爐內氮氣（氮氣排空），然後加熱運行，因此開車階段要向環境空氣中排放氮氣，和少量的真空泵用水（可作為清潔下水排放）；在停爐開爐階段（約5－7天1次），先用氫氣將還原爐內含有氯硅烷、氯化氫、氫氣的混合氣體壓入還原尾氣干法回收系統進行回收，然後用氮氣置換後排空，取出多晶硅產品、移出廢石墨電極、視情況進行爐內超純水洗滌，因此停爐階段將產生氮氣、廢石墨和清洗廢水。氮氣是無害氣體，因此正常情況下還原爐開、停車階段無有害氣體排放。廢石墨由原生產廠回收，清洗廢水送項目含氯化物酸鹼廢水處理系統處理。
7 、還原尾氣干法分離工序
從三氯氫硅氫還原工序來的還原尾氣經此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環回裝置使用。
還原尾氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。從變溫變壓吸附器出口得到的高純度的氫氣，流經氫氣緩沖罐後，大部分返回三氯氫硅氫還原工序參與製取多晶硅的反應，多餘的氫氣送往四氯化硅氫化工序參與四氯化硅的氫化反應；吸附器再生廢氣送往廢氣處理工序進行處理；從氯化氫解析塔頂部得到提純的氯化氫氣體，送往放置於三氯氫硅合成工序的循環氯化氫緩沖罐；從氯化氫解析塔底部引出的多餘的氯硅烷液體（即從三氯氫硅氫還原尾氣中分離出的氯硅烷），送入氯硅烷貯存工序的還原氯硅烷貯槽。
8、四氯化硅氫化工序
經氯硅烷分離提純工序精製的四氯化硅，送入本工序的四氯化硅汽化器，被熱水加熱汽化。從氫氣制備與凈化工序送來的氫氣和從還原尾氣干法分離工序來的多餘氫氣在氫氣緩沖罐混合後，也通入汽化器內，與四氯化硅蒸汽形成一定比例的混合氣體。
從四氯化硅汽化器來的四氯化硅與氫氣的混合氣體，送入氫化爐內。在氫化爐內通電的熾熱電極表面附近，發生四氯化硅的氫化反應，生成三氯氫硅，同時生成氯化氫。出氫化爐的含有三氯氫硅、氯化氫和未反應的四氯化硅、氫氣的混合氣體，送往氫化氣干法分離工序。
氫化爐的爐筒夾套通入熱水，以移除爐內熾熱電極向爐筒內壁輻射的熱量，維持爐筒內壁的溫度。出爐筒夾套的高溫熱水送往熱能回收工序，經廢熱鍋爐生產水蒸汽而降溫後，循環回本工序各氫化爐夾套使用。
9、氫化氣干法分離工序
從四氯化硅氫化工序來的氫化氣經此工序被分離成氯硅烷液體、氫氣和氯化氫氣體，分別循環回裝置使用。
氫化氣干法分離的原理和流程與三氯氫硅合成氣干法分離工序十分類似。從變溫變壓吸附器出口得到的高純度氫氣，流經氫氣緩沖罐後，返回四氯化硅氫化工序參與四氯化硅的氫化反應；吸附再生的廢氣送往廢氣處理工序進行處理；從氯化氫解析塔頂部得到提純的氯化氫氣體，送往放置於三氯氫硅合成工序的循環氯化氫緩沖罐；從氯化氫解析塔底部引出的多餘的氯硅烷液體（即從氫化氣中分離出的氯硅烷），送入氯硅烷貯存工序的氫化氯硅烷貯槽。
10、氯硅烷貯存工序
本工序設置以下貯槽：100m3氯硅烷貯槽、100m3工業級三氯氫硅貯槽、100m3工業級四氯化硅貯槽、100 m3氯硅烷緊急排放槽等。
從合成氣干法分離工序、還原尾氣干法分離工序、氫化氣干法分離工序分離得到的氯硅烷液體，分別送入原料、還原、氫化氯硅烷貯槽，然後氯硅烷液體分別作為原料送至氯硅烷分離提純工序的不同精餾塔。
在氯硅烷分離提純工序3級精餾塔頂部得到的三氯氫硅、二氯二氫硅的混合液體，在4、5級精餾塔底得到的三氯氫硅液體，及在6、8、10級精餾塔底得到的三氯氫硅液體，送至工業級三氯氫硅貯槽，液體在槽內混合後作為工業級三氯氫硅產品外售。
11、硅芯制備工序
採用區熔爐拉制與切割並用的技術，加工制備還原爐初始生產時需安裝於爐內的導電硅芯。硅芯制備過程中，需要用氫氟酸和硝酸對硅芯進行腐蝕處理，再用超純水洗凈硅芯，然後對硅芯進行乾燥。酸腐蝕處理過程中會有氟化氫和氮氧化物氣體逸出至空氣中，故用風機通過罩於酸腐蝕處理槽上方的風罩抽吸含氟化氫和氮氧化物的空氣，然後將該氣體送往廢氣處理裝置進行處理，達標排放。
12、產品整理工序
在還原爐內製得的多晶硅棒被從爐內取下，切斷、破碎成塊狀的多晶硅。用氫氟酸和硝酸對塊狀多晶硅進行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然後對多晶硅塊進行乾燥。酸腐蝕處理過程中會有氟化氫和氮氧化物氣體逸出至空氣中，故用風機通過罩於酸腐蝕處理槽上方的風罩抽吸含氟化氫和氮氧化物的空氣，然後將該氣體送往廢氣處理裝置進行處理，達標排放。經檢測達到規定的質量指標的塊狀多晶硅產品送去包裝。
13、廢氣及殘液處理工序

1、含氯化氫工藝廢氣凈化
SiHCl3提純工序排放的廢氣、還原爐開停車、事故排放廢氣、氯硅烷及氯化氫儲存工序儲罐安全泄放氣、CDI吸附廢氣全部用管道送入廢氣淋洗塔洗滌。
廢氣經淋洗塔用10%NaOH連續洗滌後,出塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序，尾氣經15m高度排氣筒排放。
2、殘液處理
在精餾塔中排出的、主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的釜地殘液以及裝置停車放凈的氯硅烷殘液液體送到本工序加以處理。
需要處理的液體被送入殘液收集槽。然後用氮氣將液體壓出，送入殘液淋洗塔洗滌。採用10%NaOH鹼液進行處置。廢液中的氯硅烷與NaOH和水發生反應而被轉化成無害的物質（處理原理同含氯化氫、氯硅烷廢氣處理）。
3、酸性廢氣
硅芯制備和產品整理工序產生的酸性廢氣，經集氣罩抽吸至廢氣處理系統。酸性廢氣經噴淋塔用10%石灰乳洗滌除去氣體中的含氟廢氣，同時在洗滌液中加入還原劑氨，將絕大部分NOx還原為N2和H2O。洗滌後氣體經除濕後，再通過固體吸附法（以非貴重金屬為催化劑）將氣體中剩餘NOx用SDG吸附劑吸附，然後經20m高度排氣筒排放。
14、廢硅粉處理
來自原料硅粉加料除塵器、三氯氫硅合成車間旋風除塵器和合成反應器排放出來的硅粉，通過廢渣運料槽運送到廢渣漏斗中，進入到帶攪拌器的酸洗管內，在通過31%的鹽酸對廢硅粉（塵）脫鹼，並溶解廢硅中的鋁、鐵和鈣等雜質。洗滌完成後，經壓濾機過濾，廢渣送乾燥機乾燥，乾燥後的硅粉返回到三氯氫硅合成循環使用，廢液匯入廢氣殘液處理系統廢水一並處理。
從酸洗罐和濾液罐排放出來的含HCl廢氣送往廢氣殘液處理系統進行處理。
15 、工藝廢料處理工序
1、Ⅰ類廢液處理
來自氯化氫合成工序負荷調整、事故泄放廢氣處理廢液、停爐清洗廢水、廢氣殘液處理工序洗滌塔洗滌液和廢硅粉處理的含酸廢液在此工序進行混合、中和、沉清後，經過壓濾機過濾。濾渣（主要為SiO2）送水泥廠生產水泥。沉清液和濾液主要為為高濃度含鹽廢水，含NaCl 200 g/L以上，該部分水在工藝操作與處理中不引入鈣鎂離子和硫酸根離子，水質滿足氯鹼生產要求，因此含鹽廢水管道輸送至
2、Ⅱ類廢液處理
來自硅芯制備工序和產品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸及酸洗廢水，用10%石灰乳液中和、沉清後，經過壓濾機過濾，濾渣（主要為CaF2）送水泥廠生產水泥。沉清液和濾液主要為硝酸鈣溶液，經蒸發、濃縮後，做副產品外售。蒸發冷凝液回用配置鹼液。

冶金法生產多晶硅:單晶硅生產工藝流程高純多晶硅→直拉法或懸浮區熔法→棒狀單晶硅→切、磨、拋和潔凈封裝工藝→單晶矽片.

『叄』 我家附近要建單晶硅廠，請問單晶硅廠的污染性大嗎

化工企業都有污染，污染不光指工業「三廢」(廢水、廢氣、廢渣)的排放，同時雜訊污染，光污染等都會對周圍環境產生影響。
但是好的化工企業都會在注重經濟效益的同時，嚴格控制污染源的。譬如安裝除塵裝置，消除產生的粉塵；排氣口消聲；廢水處理；重金屬化學品回收等。
當然單晶硅的生產本身，確實是有不少污染物產生的。
頂上「沙發」說的一氧化碳和氯化氫其實都可以回收，同時可以為企業創造效益。氯化氫用水吸收可以成為一定濃度的鹽酸。一氧化碳即使不好用也可以在充分燃燒後，變得沒有污染（無毒）

『肆』 單晶矽片怎麼製作成太陽能電池片跪求：具體步驟！

制絨、酸洗、擴散、洗磷、鍍膜、印刷，就這幾步

『伍』 請問晶體硅對環境有影響

晶體硅這種物質本身對環境沒什麼影響，地球上含量最多的元素不就是氧硅鋁鐵嘛。單晶硅作為目前商品化的主流無機太陽能電池材料。但是對環境有破壞作用的是製造單晶硅的過程。比如，燃燒煤炭產生溫室氣體二氧化碳，甚至污染物二氧化硫等。或者，製造過程中會產生有毒廢水。再具體的，我就不清楚了。

『陸』 關於光伏產業污水排放標准

1. 排放的時候，標准選用國標標准，國標標准大於其它標準的效力，請參照GB 8978-1996 《污水專綜合排放標屬准》；
2. 回用的時候，選用標准較多，因為考慮的是實際的運用，水質也不同；回用的標准要根據回用要求選用。

光伏行業的廢水一般污染因子有PH，COD，氟離子，醇類；可通過PH調節+二級混凝沉澱+氧化鋁過濾工藝去除達標。

『柒』 單晶硅的污染程度和方面有哪些

單晶硅的污染程度和方面:

廢氣：主要為正常生產時廢氣處理工序尾氣、產品後處理和硅芯制備工序酸性廢氣等，主要廢氣污染物為HCl、NOx、氯硅烷、HF等。

廢水：主要為正常生產時產品後處理和硅芯制備工序水洗廢水、裝置區設備/地坪沖洗水，以及循環水、脫鹽水系統排出的假定清凈下水。主要廢水污染物為SS、COD、鹽等。

固廢：主要固體廢棄物為原料制備和SiHCl3合成工序產生的硅粉、工藝廢料處理工序產生的NaCl和SiO2固體廢物、酸洗廢液處理工序產生的Ca(NO3)2/CaF2固體廢物。

雜訊：主要產噪設備為機泵、壓縮機和放空管。

(7)單晶硅廢水擴展閱讀：

廢氣處理：

一般用10%NaOH溶液洗滌，廢氣中的氯硅烷（以SiHCl3為例）和氯化氫與NaOH發生反應而被除去。含有NaCl、Na2SiO3的出塔底洗滌液用泵送入工藝廢料處理工序。

廢液處理：

一般分離提純工序殘液主要含有四氯化硅和聚氯硅烷化合物的液體以及裝置停車放凈的氯硅烷液體加入石灰乳液中和廢液中的氯硅烷等和而被轉化成無害的物質。經過規定時間的處理，用泵從槽底抽出含H4SiO4、CaCl2、H4SiO4、Na2SiO3的液體，送往工藝廢料處理工序。

廢料處理：

1、類廢液處理：

來自氯化氫合成工序的廢酸、液氯汽化工序的廢鹼、廢氣殘液處理工序和廢硅粉處理的廢液等在此工序進行混合、中和後，經過壓濾機過濾。濾渣（主要為SiO2、NaCl等）送渣廠堆埋。濾液主要為NaCl溶液，進行蒸發、濃縮和結晶。蒸發冷凝液循環利用（配置NaOH溶液），結晶固體氯化鈉等外售或填埋。

2、類廢液處理：

來自硅芯制備工序和產品整理工序的廢氫氟酸和廢硝酸，用鹼液中和，生成的氟化鈉和硝酸鈉溶液，進行蒸發、濃縮和結晶。蒸發冷凝液循環利用（配置NaOH溶液），結晶固體氟化鈣和硝酸鈉等外售或填埋。

網路-單晶硅的污染程度和方面

『捌』 太陽能發電所用的單晶硅生產過程具體會造成哪些污染

危害是肯定有的,主要是飄浮在空氣中的硅粉和硅的氧化物,高溫高電流強度產生的輻射等,不過危害不算大。

『玖』 單晶硅（多晶硅）提純工藝研究分析及改進

改良西門子法是用氯和氫合成氯化氫（或外購氯化氫），氯化氫和工業硅粉在一定的溫度下合成三氯氫硅，然後對三氯氫硅進行分離精餾提純，提純後的三氯氫硅在氫還原爐內進行CVD反應生產高純多晶硅。
國內外現有的多晶硅廠絕大部分採用此法生產電子級與太陽能級多晶硅。

（1）石英砂在電弧爐中冶煉提純到98%並生成工業硅，其化學反應SiO2+C→Si+CO2↑

（2）為了滿足高純度的需要，必須進一步提純。把工業硅粉碎並用無水氯化氫(HCl)與之反應在一個流化床反應器中，生成擬溶解的三氯氫硅(SiHCl3)。其化學反應Si+HCl→SiHCl3+H2↑ 反應溫度為300度，該反應是放熱的。同時形成氣態混合物(Н2,НС1,SiНС13,SiC14,Si)。

（3）第二步驟中產生的氣態混合物還需要進一步提純，需要分解:過濾硅粉，冷凝SiНС13,SiC14，而氣態Н2,НС1返回到反應中或排放到大氣中。然後分解冷凝物SiНС13,SiC14，凈化三氯氫硅（多級精餾）。

（4）凈化後的三氯氫硅採用高溫還原工藝，以高純的SiHCl3在H2氣氛中還原沉積而生成多晶硅。其化學反應SiHCl3+H2→Si+HCl。

三氯氫硅氫還原工序詳解：

經氯硅烷分離提純工序精製的三氯氫硅，送入本工序的三氯氫硅汽化器，被熱水加熱汽化；從還原尾氣干法分離工序返回的循環氫氣流經氫氣緩沖罐後，也通入汽化器內，與三氯氫硅蒸汽形成一定比例的混合氣體。

從三氯氫硅汽化器來的三氯氫硅與氫氣的混合氣體，送入還原爐內。在還原爐內通電的熾熱硅芯/硅棒的表面，三氯氫硅發生氫還原反應，生成硅沉積下來，使硅芯/硅棒的直徑逐漸變大，直至達到規定的尺寸。氫還原反應同時生成二氯二氫硅、四氯化硅、氯化氫和氫氣，與未反應的三氯氫硅和氫氣一起送出還原爐，經還原尾氣冷卻器用循環冷卻水冷卻後，直接送往還原尾氣干法分離工序。

還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內熾熱硅芯向爐筒內壁輻射的熱量，維持爐筒內壁的溫度。出爐筒夾套的高溫熱水送往熱能回收工序，經廢熱鍋爐生產水蒸汽而降溫後，循環回本工序各還原爐夾套使用。

還原爐在裝好硅芯後，開車前先用水力射流式真空泵抽真空，再用氮氣置換爐內空氣，再用氫氣置換爐內氮氣（氮氣排空），然後加熱運行，因此開車階段要向環境空氣中排放氮氣，和少量的真空泵用水（可作為清潔下水排放）；在停爐開爐階段（約5－7天1次），先用氫氣將還原爐內含有氯硅烷、氯化氫、氫氣的混合氣體壓入還原尾氣干法回收系統進行回收，然後用氮氣置換後排空，取出多晶硅產品、移出廢石墨電極、視情況進行爐內超純水洗滌，因此停爐階段將產生氮氣、廢石墨和清洗廢水。氮氣是無害氣體，因此正常情況下還原爐開、停車階段無有害氣體排放。廢石墨由原生產廠回收，清洗廢水送項目含氯化物酸鹼廢水處理系統處理。