晶圆超纯水清洗

㈠ 集成电路生产车间污染物的主要来源有哪些

摘要：本文主要叙述了半导体集成电路在封装过程中，环境因素和静电因素对IC封装方面的影响，同时对封装工艺中提高封装成品率也作了一点探讨。
关键词：环境因素；静电防护；封装

引言

现代发达国家经济发展的重要支柱之一--集成电路(以下称IC)产业发展十分迅速。自从1958年世界上第一块IC问世以来，特别是近20年来，几乎每隔2-3年就有一代产品问世，至目前，产品以由初期的小规模IC发展到当今的超大规模IC。IC设计、IC制造、IC封装和IC测试已成为微电子产业中相互独立又互相关联的四大产业。微电子已成为当今世界各项尖端技术和新兴产业发展的前导和基础。有了微电子技术的超前发展，便能够更有效地推动其它前沿技术的进步。随着IC的集成度和复杂性越来越高，污染控制、环境保护和静电防护技术就越盲膨响或制约微电子技术的发展。同时，随着我国国民经济的持续稳定增长和生产技术的不断创新发展，生产工艺对生产环境的要求越来越高。大规模和超大规模Ic生产中的前后道各工序对生产环境提出了更高要求，不仅仅要保持一定的温、湿度、洁净度，还需要对静电防护引起足够的重视。

2 环境因素对IC封装的影响

在半导体IC生产中，封装形式由早期的金属封装或陶瓷封装逐渐向塑料封装方向发展。塑料封装业随着IC业快速发展而同步发展。据中国半导体信息网对我国国内28家重点IC制造业的IC总产量统计，2001年为44．12亿块，其中95％以上的IC产品都采用塑料封装形式。

众所周知，封装业属于整个IC生产中的后道生产过程，在该过程中，对于塑封IC、混合IC或单片IC，主要有晶圆减薄(磨片)、晶圆切割(划片)、上芯(粘片)、压焊(键合)、封装(包封)、前固化、电镀、打印、后固化、切筋、装管、封后测试等等工序。各工序对不同的工艺环境都有不同的要求。工艺环境因素主要包括空气洁净度、高纯水、压缩空气、C02气、N：气、温度、湿度等等。

对于减薄、划片、上芯、前固化、压焊、包封等工序原则上要求必须在超净厂房内设立，因在以上各工序中，IC内核--芯粒始终裸露在外，直到包封工序后，芯粒才被环氧树脂包裹起来。这样，包封以后不仅能对IC芯粒起着机械保护和引线向外电学连接的功能，而且对整个芯片的各种参数、性能及质量都起着根本的保持作用。在以上各工序中，哪个环节或因素不合要求都将造成芯粒的报废，所以说，净化区内工序对环境诸因素要求比较严格和苛刻。超净厂房的设计施工要严格按照国家标准GB50073-2001《洁净厂房设计规范》的内容进行。

2．1 空调系统中洁净度的影响

对于净化空调系统来讲，空气调节区域的洁净度是最重要的技术参数之一。洁净厂房的洁净级别常以单位体积的空气中最大允许的颗粒数即粒子计数浓度来衡量。为了和国际标准尽快接轨，我国在根据IS014644-1的基础上制定了新的国家标准GB50073-2001《洁净厂房设计规范》，其中把洁净室的洁净度划分了9个级别，具体见表1所示。

结合不同封装企业的净化区域面积的大小不一，再加之由于尘粒在各工序分布的不均匀性和随机性，如何针对不同情况来确定合适恰当的采集测试点和频次，使洁净区域内洁净度控制工作既有可行性，又具有经济性，进而避免偶然性，各封装企业可依据国家行业标准JGJ71-91《洁净室施工及验收规范》中的规定灵活掌握。具体可参照表2进行。

由于微电子产品生产中，对环境中的尘粒含量和洁净度有严格的要求，目前，大规模IC生产要求控制0．1μm的尘粒达到1级甚至更严。所以对IC封装来说，净化区内的各工序的洁净度至少必须达到1级。

2．2超纯水的影响

IC的生产，包括IC封装，大多数工序都需要超纯水进行清洗，晶圆及工件与水直接接触，在封装过程中的减薄工序和划片工序，更是离不开超纯水，一方面晶圆在减薄和划片过程中的硅粉杂质得到洗净，而另一方面纯水中的微量杂质又可能使芯粒再污染，这毫无疑问将对封装后的IC质量有着极大的影响。

随着IC集成度的进一步提高，对水中污染物的要求也将更加严格。据美国提出的水质指标说明，集成度每提高一代，杂质都要减少1／2~1／10。表3所示为最新规定的对超纯水随半导体IC进展的不同要求。

从表3可以看到，随着半导体IC设计规则从1．5~0．25μm的变化，相应地超纯水的水质除电阻率已接近理论极限值外，其TOC(总有机碳)、DO(溶解氧)、Si02、微粒和离子性杂质均减少2-4个数量级。

在当前的水处理中，各项杂质处理的难易程度依次是TOC、SiO2、DO、电阻率，其中电阻率达到18MΩ·cm(25℃)是当前比较容易达到的。由于TOC含量高会使栅氧化膜尤其是薄栅氧化膜中缺陷密度增大，所以栅愈薄要求TOC愈低，况且现在IC技术的发展趋势中，芯片上栅膜越来越薄，故降低TOC是当前和今后的最大难点，因而已成为当今超纯水水质的象征和重心。据有关资料介绍，在美国芯片厂中，50％以上的成品率损失起因于化学杂质和微粒污染；在日本工厂中由于微粒污染引起器件电气特性的不良比例，已由2μm的70％上升到0．8μm超大规模IC的90％以上，可见IC线条宽度越细，其危害越突出。相应的在IC封装过程中超纯水的重要性就显而易见了。

在半导体制造工艺中，大约有80％以上的工艺直接或间接与超纯水，并且大约有一半以上工序，硅片与水接触后，紧接着就进人高温过程，若此时水中含有杂质就会进入硅片而导致IC器件性能下降、成品率降低。确切一点说，向生产线提供稳定优质的超纯水将涉及到企业的成本问题。

2．3纯气的影响

在IC的加工与制造封装中，高纯的气体可作为保护气、置换气、运载气、反应气等，为保证芯片加工与封装的成品率和可靠性，其中一个重要的环节，就是严格控制加工过程中所用气体的纯度。所谓"高纯"或"超纯"也不是无休止的要求纯而又纯，而是指把危害IC性能、成品率和可靠性的有害杂质及尘粒必须减少到一定值以下。表4列出了半导体大规模IC加工与制造中用的几种常用气体的纯度。

例如在IC封装过程中，把待减薄的晶圆，划后待粘片的晶圆，粘片固化后待压焊的引线框架(LF)与芯粒放在高纯的氮气储藏柜中可有效地防止污染和氧化；把高纯的C02气体混合人高纯水中，可产生一定量的H+，这样的混合水具有一定的消除静电吸附作用，代划片工序使用可有效地去除划痕内和芯粒表面的硅粉杂质，以此来减少封装过程中的芯粒浪费。

2．4 温、湿度的影响

温、湿度在IC的生产中扮演着相当重要的角色，几乎每个工序都与它们有密不可分的关系。GB50073-2001《洁净厂房设计规范》中明确强调了对洁净室温、湿度的要求要按生产工艺要求来确定，并按冬、夏季分别规定。见表5。

根据国家要求标准，也结合我厂IC塑封生产线的实际情况，特对相关工序确定了温、湿度控制的范围，运行数年来效果不错。控制情况见表6。

但是，由于空调系统发生故障，在2001年12月18日9：30~9：40期间，粘片工序工作区域发生了一起湿度严重超标事故。当时相对湿度高达86．7％RH，而在正常情况下相对湿度为45~55％RH。

当时湿度异常时粘片现场状况描述如下：

所有现场桌椅板凳、玻璃、设备、晶圆、芯片以及人身上的防静电服表面都有严重的水汽，玻璃上的水汽致使室内人看不清过道，用手触摸桌椅设备表面，都有很明显的手指水迹印痕。更为严重的是在粘片工序现场存放的芯片有许多，其中SOPl6L产品7088就在其列，对其成品率的影响见表7所示。所有这些产品中还包括其它系列产品，都象经过了一次"蒸汽
浴"一样。

从下表可看出或说明以下问题：

针对这批7088成品率由稳到不稳，再到严重下降这一现象，我们对粘片、压焊、塑封等工序在此批次产品加工期间的各种工艺参数，原材料等使用情况进行了详细汇总，没有发现异常情况，排除了工艺等方面的原因。

事后进一步对废品率极高的18#、21#、25#、340、55#卡中不合格晶进行了超声波扫描，发现均有不同程度的离层，经解剖发现：从离层处发生裂痕、金丝断裂、部分芯片出现裂纹。最后得出结论如下：

(1)造成成品率下降的原因主要是封装离层处产生裂痕，导致芯片裂纹或金丝断裂。

(2)产生离层的原因是由于芯片表面水汽包封在塑封体内产生。

由此可见，温、湿度对IC封装生产中的重大影响！

2．5其它因素的影响

诸如压差因素、微振因素、噪声因素等对IC封装加工中都有一定的影响。鉴于篇幅所限，这里就不再逐一赘述。

3静电因素对IC封装的影响

首先，静电产生的原因是随处可见的。

在科技飞速发展和工业生产高度自动化的今天，静电在工业生产中的危害已是显而易见的，它可以造成各种障碍，限制自动化水平的提高和影响产品质量。这里结合我厂在集成电路封装、生产过程的实际情况来说明之所以有静电的产生，主要有以下几个方面的原因。

3．1 生产车间建筑装修材料多采用高阻材料

IC生产工艺要求使用洁净车间或超净车间。要求除尘微粒粒径从以往的0．3μm变到0．1μm拟下，尘粒密度约为353个／m3。为此，除了安装各吸尘设备之外，还要采用无机和有机不发尘材料，以防起尘。但对于建材的电性能没有作为一项指标考虑进去。工业企业洁净厂房设计规范中也未作规定。IC工厂的洁净厂房主要采用的室内装修材料有：聚氨酯弹性地面、尼纶、硬塑料、聚乙烯、塑料壁纸、树脂、木材、白瓷板、瓷漆、石膏等等。上述材料中，大部分是高分子化合物或绝缘体。例如，有机玻璃体电阻率为1012~1014Ω·cm，聚乙烯体电阻率为1013~1015n·cm，因而导电性能比较差，某种原因产生静电不容易通过
它们向大地泄漏，从而造成静电的积聚。

3．2人体静电

洁净厂房操作人员的不同动作和来回走动，鞋底和地面不断的紧密接触和分离，人体各部分也有活动和磨擦，不论是快走、慢走，小跑都会产生静电，即所谓步行带电；人体活动后起立，人体穿的工作服与椅子面接触后又分离也会产生静电。人体的静电电压如果消不掉，而去接触IC芯片，就可能在不知不觉中造成IC的击穿。

3．3 空气调节和空气净化引起的静电

由于IC生产要求在45-55％RH的条件下进行，所以要实行空气调节，同时要进行空气净化。降湿的空气要经过初效过滤器、中效过滤器、高效过滤器和风管送人洁净室。一般总风管风速为8~10m／s，风管内壁涂油漆，当干燥的空气和风管，干燥的空气和过滤器作相对运动时，都会产生静电。应该引起注意的是静电与湿度有着较敏感的关系。

另外，运送半成品和IC成品在包装运输过程中都会产生静电，这都是静电起电的因素之一。

其次，静电对IC的危害是相当大的。

一般来说，静电具有高电位、强电场的特点，在静电起电-放电过程中，有时会形成瞬态大电流放电和电磁脉冲(EMP)，产生频谱很宽的电磁辐射场。另外，与常规电能量相比，静电能量比较小，在自然起电-放电过程中，静电放电(ESD)参数是不可控制的，是一种难于重复的随机过程，因此它的作用往往被人们所忽视。尤其在微电子技术领域，它给我们造成的危害却是惊人的，据报道每年因静电造成直接经济损失高达几亿元人民币，静电危害以成为发展微电子工业的重大障碍。

在半导体器件生产车间，由于尘埃吸附在芯片上，IC尤其是超大规模集成电路(VLSI)的成品率会大大下降。

IC生产车间操作人员都穿洁净工作服，若人体带静电，则极易吸附尘埃、污物等，若这些尘埃、污物被带到操作现场的话，将影响产品质量，恶化产品性能、大大降低Ic成品率。如果吸附的灰尘粒子的半径大于100μm线条宽度约100μm时，薄膜厚度在50μm下时，则最易使产品报废。

再次，静电对IC的损害具有一定的特点。

(1)隐蔽性

除非发生静电放电，人体不能直接感知静电，但发生静电放电人体也不一定能有电击的感觉，这是因为人体感知的静电放电电压为2~3kv，所以静电具有隐蔽性。

(2)潜在性

有些汇受到静电损伤后的性能没有明显的下降，但多次累加放电会给IC器件造成内伤而形成隐患。因此静电对IC的损伤具有潜在性。

(3)随机性

IC什么情况下会遭受静电破坏呢?可以这么说，从一个IC芯片产生以后一直到它损坏以前，所有的过程都受到静电的威胁，而这些静电的产生也具有随机性，其损坏也具有随机性。

(4)复杂性

静电放电损伤的失效分析工作，因微电子IC产品的精、细、微小的结构特点而费时、费事、费财，要求较高的技术并往往需要使用高度精密仪器，即使如此，有些静电损伤现象也难以与其它原因造成的损伤加以区别；使人误把静电放电损伤的失效当作其它失效，这在对静电放电损害未充分认识之前，常常归因于早期失效或情况不明的失效，从而不自觉地掩盖了失效的真正原因。所以分析静电对IC的损伤具有复杂性。

总而言之，在IC的加工生产和封装过程中建立起静电防护系统是很有必要的!

IC封装生产线对静电的要求更为严格。为了保证生产线的正常运行，对其洁净厂房进行防静电建筑材料的整体装修，对进出洁净厂房的所有人员配备防静电服装等采取硬件措施外，封装企业可根据国家有关标准和本企业的实际隋况制定出在防静电方面的企业标准或具体要求，来配合IC封装生产线的正常运转。随着我国IC封装线的扩建、封装能力的逐年提高、封装品种的增加以及对产品质量和成品率的更高要求，相应地对各种软、硬件要求和对全体从业人员的静电防护意识的加强就显得更为重要，而这也正扮演和充当着影响我们产品质量的"主要角色"和"无形杀手"。所以说，静电防护将是目前和今后摆在我们整个IC行业的一大课题。

4结束语

综上所述，环境诸多因素和静电因素始终对IC的封装加工过程起着很重要的作用，这也是IC的发展趋势和封装加工过程的固有特性所决定的，微电子半导体IC的超前发展，就势必要求我们在环境与静电方面紧紧跟上IC的发展，使之不要成为制约IC封装加工发展的障碍和"绊脚石"。本文也正是出于这样的考虑来进行抛砖引玉的。

㈡ 超纯水处理操作流程(最高半导体公司)

一般采用膜工艺，超滤膜-二级RO-EDI-抛光混床等设备！出水达18兆！最高标准是晶圆厂！

㈢ 什么是UP水

超纯水英文名为Ultrapure water又称水，是指电阻率达到18 MΩ*cm（25℃）的水，改水几乎没有什么杂质。

高纯水是化学纯度极高的水，其中的杂质的含量小于0.1mg/L。目前人们制成的高纯水的纯度已经达到99.%，其中杂质含量低于0.01mg/L。

高纯水主要指水的温度为25℃时，电导率小于0.1us/cm,pH值为6.8-7.0及去除其他杂质和细菌的水。

高纯水中的导电介质几乎全部去除，又将水中不离解的胶体物质、气体和有机物均去除至很低程度的水。高纯水的含盐量在0. 3mg/L以下，电导率小于0. 2μs/cm。

超纯水中除了水分子外，几乎没有什么杂质，更没有细菌、病毒、含氯二恶英等有机物，当然也没有人体所需的矿物质微量元素，也就是几乎去除氧和氢以外所有原子的水。

(3)晶圆超纯水清洗扩展阅读

超纯水可以在以下领域使用：

（1）电子、电力、电镀、照明电器、实验室、食品、造纸、日化、建材、造漆、蓄电池、化验、生物、制药、石油、化工、钢铁、玻璃等领域。

（2）化工工艺用水、化学药剂、化妆品等。

（3）单晶硅、半导体晶片切割制造、半导体芯片、半导体封装 、引线柜架、集成电路、液晶显示器、导电玻璃、显像管、线路板、光通信、电脑元件 、电容器洁净产品及各种元器件等生产工艺。

（4）高压变电器的清洗等。

㈣ 在半导体生产中,超纯水都会被应用在哪里

• 超纯水的应用领域涵盖了整个电子行业，还有许多新能源行业也有涉猎，比如我们常说的芯片、半导体、光伏等等。今天我们主要来说一下半导体领域中超纯水的应用。在半导体生产中，超纯水都会被应用在哪里?答案是在晶圆冲洗、化学品稀释、化学机械...

㈤ 任何纯水会减弱任何电的电力吗

1、 原水

原水 ：是指未经任何处理的天然水或城市的自来水等也叫生水 。

2、 澄清水

澄清水：去除了原水中的悬浮杂质的水。

3、 除盐水

是指水中的阳、阴离子基本上除去或降低到一定程度的水称为除盐水。除盐的方法有蒸馏法、电渗析法、反渗透法、离子交换法等。

4、 浊度

浊度：就是指水的浑浊程度，它是因水中含有一定的悬浮物（包括胶体物质）所产生的光学效应。单位用NTU表示。浊度是在外观上判断水是否遭受污染的主要特征之一。浊度的标准单位规定为1mgSi02所构成的浑浊度为1度。

5、 絮凝剂

絮凝剂：能引起胶粒产生凝结架桥而发生絮凝作用的药剂。

6、 总碱度

总碱度：是指水中能与强酸发生中和作用的物质总量。

7、 酸度

酸度：是指水中能与强碱发生中和作用的物质总量。

8、 硬度

硬度：是指水中某些易于形成沉淀物的金属离子，通常指钙、镁离子含量。

9、 电导率

电导率：是在一定温度下，截面积为1平方厘米，相距为1厘米的两平行电极之间溶液的电导。可以间接表示水中溶解盐的含量。

10、电阻率

电阻率：也是一个反映水的导电能力的一个指标，水的电阻率越大，水的导电能力越差，水中所含的离子就越少。它的常用单位是MΩ.CM。它同电导率之间是倒数关系。例如：水的电导率是0.2μs/cm,则它的电阻率就是1/0.2=5（MΩ.CM）。

11、TDS（溶解性总固体）

TDS（溶解性总固体）：是滤除悬浮物（SS）与胶体并蒸发看全部水分后的剩余无机物。单位是ppm或mg/l，可以用TDS仪来测量。它也反应了水中的离子含量。它与电导率之间一个粗略的对应关系：对于氯化钠参考溶液来说，1ppm的TDS值对应2μs/cm的电导率。

12、PH值

pH值：溶液中酸和碱的相对含量。pH值是水中氢离子浓度的负对数（log）的度量单位。pH值分0~14挡，pH值为7.0则水为中性；pH值小于7.0，则水为酸性的；pH值大于7.0。则水为碱性的。

13、碱度

碱度：碱度是指水中能够接受[H+]离子与强酸进行中和反应的物质含量。水中产生碱度的物质主要由碳酸盐产生的碳酸盐碱度和碳酸氢盐产生的碳酸氢盐碱度，以及由氢氧化物存在而产生的氢氧化物碱度。

14、SDI

SDI：污染指数—用于测量反渗透系统所用原水中悬浮固体的数量。

15、臭氧

臭氧：氧的一种不稳定的、高活性的形式，它是由自然雷电或高压电荷通过空气所产生的，是一种优良的氧化剂和消毒剂。

16、余氯

余氯：水经过加氯消毒，接触一定时间后，水中所余留的有效氯。

17、总大肠杆菌数

总大肠杆菌：总大肠菌群系指一群需氧及兼性厌氧的，在37℃生长时能使乳糖发酵，在24h内产酸产气的革氏阴性无芽胞杆菌。总大肠菌群系指每升水样中所含有的总大肠菌群的数目。

18、回收率

回收率：指系统产出的产品水的流量与进水流量的比值。

19、脱盐率：

脱盐率：反映膜的性能的参数，通常一级RO膜系统脱盐率在97%以上。可以简单计算：（原水电导率-产品水的电导率）/原水电导率。

20、 含盐量

含盐量：水的含盐量也称矿化度，是表示水中所含盐类的数量。由于水中各种盐类一般均以离子的形式存在，所以含盐量也可以表示为水中各种阳离子的量和阴离子的量的和。

21、 沉淀

沉淀：废水处理的技术方法之一。可分为物理沉淀和化学沉淀两种作用。通常所指的沉淀是物理沉淀，即重力分离的方法。它是利用废水中悬浮物与水的比重不同，借重力沉降或上浮的作用，从水中分离出来。化学沉淀是在废水中投加某种化学药剂，使之与废水中的溶解物质发生化学反应，生成难溶于水的化合物而析出沉淀。

22、 中水

“中水”的定义有多种解释，在污水工程方面称为“再生水”，工厂方面称为“回用水”，一般以水质作为区分的标志。其主要是指城市污水或生活污水经处理后达到一定的水质标准，可在一定范围内重复使用的非饮用水。再生水水质介于上水（饮用水）和下水（生活污水之间），这也是中水得名的由来，人们又将供应中水的系统称为中水系统。

23、 有机物污染

有机物污染：是指以碳水化合物、蛋白质、氨基酸以及脂肪等形式存在的天然有机物质等某些其它可生物降解的人工合成有机物质。主要来源于生活污水和工业废水。

24、 浓差极化

浓差极化：反渗透在运行状况下，膜表面盐类被浓缩，同进水中的盐类之间存在浓度差，若浓水流量小，流速低时，高含量盐类的水不能被及时带走，在膜表面会形成很高的浓度差，阻碍了盐分的扩散，这种现象叫浓差极化。

25、 悬浮物（SS）

悬浮物（SS）：指悬浮在水中的固体物质，包括不溶于水中的无机物、有机物及泥砂、粘土、微生物等。水中悬浮物含量是衡量水污染程度的指标之一。它是水样过滤后在103-105度温度下把滤纸上截留物烘干所得的固体量。单位mg/l。

26、 曝气

曝气：使空气中O2转移到混合液中而被微生物利用的过程。目的是提供活性污泥等微生物所需的溶解氧，保障微生物代谢过程的需氧量。

27、 生化需氧量（BOD）

生化需氧量（BOD）：是指在规定时间、规定温度、规定条件下微生物在分解、氧化水中有机物的过程中，所消耗的溶解氧量，通常所用时间为5天，温度20℃，简记BOD5，单位mg/L。

28、 化学需氧量（COD）

化学需氧量（COD）：是指在一定条件下，用强氧化剂氧化废水中的有机物质所消耗的氧量。废水检验标准一般采用重铬酸钾作氧化剂，单位mg/L。

29、水锤

水锤又称水击。水（或其他液体）输送过程中，由于阀门突然开启或关闭、水泵突然停止、骤然启闭导叶等原因，使流速发生突然变化，同时压强产生大幅度波动的现象。

30、吸附

吸附：是指利用多孔性固体吸附废水中某种或几种污染物以回收或去除某些污染物，从而使废水得以净化的方法。

31、酶酶：是生物细胞中自己制成的一种催化剂（生物催化剂）。其基本成分是蛋白质，是促进生物化学反应速度的物质。

32、污水

污水：污水是指在生产与生活活动中排放的水的总称。人类在生活和生产活动中，要使用大量的水，这些水往往会受到不同程度的污染，被污染的水称为污水。

33、污水处理

污水处理：就是采用各种技术和手段，将污水中所含的污染物质分离去除、回收利用或将其转化为无害物质，使水得到净化。

34、污水回用

污水回用：将污水或废水经二级处理和深度处理后回用于生产系统或生活杂用被称为污水回用。当处理出水满足特定回用要求，并以回用时，也可称为再生水。

35、水垢

水垢：即由于锅炉水水质不良，经过一段时间运行后，在受热面与水接触的管壁上生成的固态附着物。

36、水渣

水渣：是指在炉水中呈悬浮状态的固体物质和沉积在汽包、下联箱底部等水流缓慢处的沉渣。于水垢区别：水渣比较松散，呈悬浮或沉渣状态，且有一部分易随锅炉排污排掉；而水垢能牢固地粘结在管壁上，不易排掉。

37、铁、锰、铝

微量的铁和锰即会造染色，结垢和味道等问题，铁在还原状态之环境下是以水可溶性的二价铁形式存在，当和空气接触后会逐渐氧化成黄棕色胶体状的三价铁，最后沉淀为棕色的氢氧化铁。 锰的特性和铁类似，由于铁、锰、铝的氧化物也是RO膜结垢的原因之一，故有必要分析其含量。

38、纯水

纯水是指既将水中易去除的强电介质去除，又将水中难以除去的硅酸及二氧化碳等弱电解质去除至一定程度的水。纯水的含盐量在1.0mg/L以下,电导率小于3μs/cm。

39、超纯水

超纯水又称高纯水，是指将水中的导电介质几乎全部去除，又将水中不离解的胶体物质、气体和有机物均去除至很低程度的水，。超纯水的含盐量在0. 1mg/L以下,电导率小于0. 1μs/cm。

纯水和超纯水除了对含盐量或电导率有严格要求外，对水中各种金属离子含量，有机物含量、微粒粒径及数量和微生物数量也有严格指标限制。

40、蒸馏水

蒸馏水是将原水加热汽化，再将蒸汽冷凝成的水称为蒸馏水。一般蒸馏水电导率为10μs/cm左右，将一次蒸馏水再次蒸馏得到二次蒸馏水，多次蒸馏得到多次蒸馏水，电导率可降至很低达1.0μs/cm左右。

㈥ 半导体晶片的高清洁度清洗方式是什么

目前晶圆清洗技术大致可分为湿式与干式两大类，目前仍以湿式清洗法为主流。
1. 湿式清洗技术 

湿式清洗技术，是以液状酸碱溶剂与去离子水之混合物清洗晶圆表面，随后加以润湿再干燥的程序。大体分为以下两种：
(1) 湿式化学清洗
(2) 湿式程序中清除微粒的技术
2. 干式表面清洗技术 
干式晶圆清除技术而言，去除的方式主要有三： (a)将污染物转换成挥发性化合物。 (b)利用动量使污染物直接扬起而去除。 (c)应用加速离子，使污染物破碎。大体分为以下两种：
(1) 干式表面污染物清除技术 
(2) 干式表面微粒清除技术

㈦ 生产一颗CPU芯片需要多少水

生产一个2克重的计算机芯片,需要32公斤水资源,也就是0.032吨水。在晶圆上烧刻电路图案需要用大量的超纯水冲洗,一个硅片需要3到4个月的时间才能加工为成品。

一项研究结论指出：“与硬件使用和能源消耗相比，芯片制造是碳排放的主要来源。”最先进的芯片制造商比一些传统的重污染行业的碳排放量更大。

在晶圆上烧刻电路图案需要用大量的超纯水冲洗，一个硅片需要3到4个月的时间才能加工为成品，每做出一批硅片都要消耗大量的电力和水，排出更多的温室气体。

台积电一年的耗水量在160亿到170亿吨之间。其耗水量差不多达到半个三峡大坝的总蓄水量。同时在芯片半导体的生产加工过程中，对于水质的要求越来越高。为了保证生产出超大规模的集成电路，除高纯原材料、高纯气体、高纯化学药品外，超纯水也是其中最关键的因素之一。

㈧ 怎样保持电子晶圆超纯水系统能够正常运行呢

1、超纯水系统的机械过滤器定期反洗.反洗时进行压缩空气气体摩擦,反洗合格后静置10min左右再正洗,正洗出水合格后方可投入使用,勿将空气带入反渗透.在不影响sdi值的情况下,尽可能延长机械过滤器的运行时间,这样既减少了切换过滤器对出水水质的冲击,又节约了大量反洗用水。
2、定期检查、及时更换精密过滤器滤芯,防止滤芯因安装或质量问题发生泄露所引起的反渗透膜的颗粒污染.当精密过滤器进口压差大于0.15mpa时,应更换滤芯.一般应每月检查一次,2～3个月更换一次滤芯.运行时还应经常检查精密过滤器内是否有气体,不能让空气带入反渗透膜.对备用或长期停运的精密过滤器,要采取加甲醛保护的方法防止细菌大量繁殖。
3.、压泵入口压力应至少大于0.05mpa,防止空气或精密过滤器前截留物被高压泵抽入反渗透膜。
4、停用的超纯水系统应定期低压冲洗,尤其夏天,应做到每班冲洗一次.如停运时间大于7天,应采用0.5%～1%的亚硫酸氢钠或0.5%～1%的甲醛溶液对反渗透膜进行保护.并应及时检测保护液的ph值和浓度。

5、定期对给水水质进行化验分析,根据实际情况及时调整絮凝剂、杀菌剂、还原剂及阻垢剂的加药量.防止絮凝剂穿透过滤器与阻垢剂反应影响阻垢效果,或污染反渗透膜;防止杀菌剂用量不足而使反渗透膜受细菌污染,或因杀菌剂过量而使膜被氧化;防止阻垢剂含量不足使浓水结垢而导致膜化学污染。

6、当与初始投用状态相比,标准化的反渗透装置产水量下降10%,或在特定条件下产水含盐量明显上升,或压差增加了15%时,应对反渗透膜进行及时清洗。