㈠ 反渗透膜对二氧化硅的去除率是多少
二氧化硅是水质分析的重要指标之一,锅炉炉水、给水,除盐水中的二氧化硅都要进行准内确测定。反渗透系统最容大允许二氧化硅的浓度取决于温度、pH值以及阻垢剂,通常在不加阻垢剂时浓水端最高允许浓度为100ppm,某些阻垢剂能允许浓水中的二氧化硅浓度最高为240ppm,请咨询阻垢剂供应商。
㈡ 反渗透进水的二氧化硅指的是什么
二氧化硅是水质分析的重要指标之一,锅炉炉水、给水,除盐水中的二氧化硅都要回进行准确测定。反渗透答系统最大允许二氧化硅的浓度取决于温度、pH值以及阻垢剂,通常在不加阻垢剂时浓水端最高允许浓度为100ppm,某些阻垢剂能允许浓水中的二氧化硅浓度最高为240ppm,请咨询阻垢剂供应商。
㈢ 除盐水装置为什么要对活性二氧化硅进行控制
水中溶解少量以硅酸或可溶性硅酸盐形式存在的二氧化硅对金属的腐蚀有一定的缓蚀作用。但含量过高时会形成钙镁的硅酸盐水垢或二氧化硅水垢。这种水垢热阻大、难以去除对锅炉危害特别大,因此要严格加以控制。
㈣ 为什么混床更换树脂后,除盐水中二氧化硅含量超标
混床出来水SiO2超标的原因 :
1.1除硅系自统不完善。反渗透装置后续处理直接为二级混床离子交换除盐. 由于 RO 为物理除盐,所以一级混床进水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 阴离子,经过混床阴 树脂的交换后,进入二级混床的主要是 HCOf,HSi03-两种阴离子,经测定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,这样在终点到达时,失效的二级混床阴树脂中,RHSiO,比例高达75%~85%.这时,常规 的再生方法已无法彻底去除硅酸,所以再次投运时会导致混床出水SiO:含量超标, 将这种现象称之为 "硅污染".硅污染易发生在二级混床的强碱性阴树脂中,用正常的再生方法无法彻 底地将这些硅洗脱 来,其结果往往导致阴树脂的除硅能力较大幅度的下降,再生后混床出水硅含量超标.
2.常规再生方法的不足。 对发生硅污染的混床,常规的再生用碱量不足以保证再生效果,其原因:不足量的再生液流经树脂层时先是发生部分硅化合物被再生下来的过程,部分硅化合物仍残留在树脂中。
㈤ 除盐水含有二氧化硅吗
进水经过石灰软化处理,与冷凝回水混合后含盐量1.5mmol/l左右,活性二氧化硅1.0mg/l,阳床固定床专硫酸顺流再属生,比耗2左右,阴床40摄氏度碱再生,也是固定床顺流再生,比耗也是2左右。阴床出水二氧化硅为1微克每升左右。我觉得非常可疑,硫酸再生,且是顺流,单纯强树脂,二氧化硅为何这么低呢?正常情况下即使是混床也不能这么低呀?测得阳床漏钠量为180微克左右,而且投运开始二氧化硅就是这么低!排除仪表问题。大家怎么看?
㈥ 混床更换树脂后,除盐水二氧化硅高,而未更换树脂的混床产水正常,二氧化硅高怎么处理
混床出水SiO2超标的原因 :
1.1除硅系统不完善。反渗透装置后续处理直接为二级混床离子交换除盐回. 由于 RO 为物理答除盐,所以一级混床进水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 阴离子,经过混床阴 树脂的交换后,进入二级混床的主要是 HCOf,HSi03-两种阴离子,经测定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,这样在终点到达时,失效的二级混床阴树脂中,RHSiO,比例高达75%~85%.这时,常规 的再生方法已无法彻底去除硅酸,所以再次投运时会导致混床出水SiO:含量超标, 将这种现象称之为 "硅污染".硅污染易发生在二级混床的强碱性阴树脂中,用正常的再生方法无法彻 底地将这些硅洗脱 来,其结果往往导致阴树脂的除硅能力较大幅度的下降,再生后混床出水硅含量超标.
2.常规再生方法的不足。 对发生硅污染的混床,常规的再生用碱量不足以保证再生效果,其原因:不足量的再生液流经树脂层时先是发生部分硅化合物被再生下来的过程,部分硅化合物仍残留在树脂中。
㈦ 测二氧化硅为什么要加除盐水稀释
凝结水和除盐水都可以,从能源优化利用角度讲,一般多用凝结水做减温水,而且也比较方便.至于蒸汽的二氧化硅超标,建议对水质进行检测,分析原因.
㈧ 请问超纯水设备中EDI系统是什么
EDI电除盐纯水设备供应商,EDI电除盐纯水设备技术概述
电除盐将离子交换树脂填充在阴、阳离子交换膜之间形成EDI单元,又在这个单元两边设置阴、阳电极,在直流电作用下,将离子从其给水(通常是反渗透纯水)中进一步清除离子交换膜和离子交换树脂的工作原理相近,可以使特定的离子迁移。阴离子交换膜只允许阴离子透过,不允许阳离子透过;而阳膜只允许阳离子透过,不允许阴离子透过。
在EDI组件中将一定数量的EDI单元罗列在一起,使阴离子交换膜和阳离子交换膜交替排列。并使用网状物将每个EDI单隔开,形成浓水室。EDI单元中间为淡水室。在给定的直流电的推动下,给水通过淡水室水中的离子穿过高子交换膜进入浓水室被去除而成为除盐水;通过浓水将离子带出系统,成为浓水。
EDI电除盐纯水设备组件将给水分成三股独立的水流
1、纯水(最高利用率为99%)
2、浓水(5-10%,可以用于RO给水
3、极水(1%,排放)
极水先经过阳极流入阴极水可从电极区排除电解产生的氯气、氧气和氢气体。
EDI电除盐纯水设备过程细节
一般城市水源中存在钠、钙、镁、氯化物、硝酸盐、碳酸氢盐、二氧化硅等溶解物。这此化合物由带负电荷的阴高子和带正电荷的阳离子组成。通过反渗透(RO)的处理,98%以上的离子可被去除。另外,原水中也可能包括其它微量元素、溶解的气体(例如CO2)和一些弱电解质(例如硼,二氧化硅),这些杂质在工业除盐水中也必须被除掉。RO纯水(EDI给水)电阻率的一般范围是0.05-0.25MΩcm,即电导率的范围是20-4US/cm。根据应用的情况,去离子水电阻率2MΩcm。EDI除盐过程。将水中离子和离子交换树用脂中的氢氧根离子或氢离子交换,然后使这些离子迁移进入到浓水中。这就是EDI电除盐纯水设备除盐过程。
㈨ 求助:一级除盐水二氧化硅问题
进水经过石灰软化处理,与冷凝回水混合后含盐量1.5mmol/l左右,活性二氧回化硅1.0mg/l,阳床固答定床硫酸顺流再生,比耗2左右,阴床40摄氏度碱再生,也是固定床顺流再生,比耗也是2左右。阴床出水二氧化硅为1微克每升左右。我觉得非常可疑,硫酸再生,且是顺流,单纯强树脂,二氧化硅为何这么低呢?正常情况下即使是混床也不能这么低呀?测得阳床漏钠量为180微克左右,而且投运开始二氧化硅就是这么低!排除仪表问题。大家怎么看?
㈩ EDI连续电除盐水处理设备的EDI设备进水指标要求
◎通常为单级反渗透或二级反渗透的渗透水
◎TEA(总可交换阴离子,以CaCO3计):专<25ppm。
◎电导率:属<40μS/cm
◎PH:6.0~9.0。当总硬度低于0.1ppm时,EDI最佳工作的pH范围为8.0~9.0。
◎温度: 5~35℃。
◎进水压力:<4bar(60psi)。
◎硬度:(以CaCO3计):<1.0ppm。
◎有机物( TOC):<0.5ppm。
◎氧化剂:Cl2<0.05ppm,O3<0.02ppm。
◎变价金属: Fe<0.01ppm,Mn<0.02ppm。
◎H2S:<0.01ppm。
◎二氧化硅:<0.5ppm。
◎色度:<5APHA。
◎二氧化碳的总量:<10ppm
◎ SDI 15min:<1.0。