1. 純水和超純水的pH值該如何檢測
1、攪拌速度:PH值反映的是H+的活度,(H+)而不是H+的濃度[H+],其關系為(H+)=f×[H+]。F為H+的活度系數。它是由溶液中所有離子的總濃度決定而不只決定於被測離子的濃度。在理論純水中活度系數f等於1,但只要有其它離子存在,活度系數就要改變,PH值也就會改變。即PH值受溶液中總的離子濃度的影響,總離子濃度變化,PH值就要改變。由於復合電極液接界很靠近PH敏感玻璃球泡,從液接界滲漏出的鹽橋溶液首先聚集在敏感球泡周圍,改變了其附近的總離子濃度,由上述原因可知,使用測量值只是敏感球泡附近的被改變了PH值,不能反映其真實的PH值。雖然採用攪拌或搖動燒杯的方法可以改變這種情況,但實踐證明,攪拌速度不同,測試的值也會不一樣,同時攪拌或搖動又會加速CO2的溶解,所以也不可取。 2、高濃度3mol/L的Kcl:由於純水中離子濃度非常低,而參比電極鹽橋溶液選中高濃度3mol/L的Kcl,相互之間的濃度差較大,與它在普通溶液中的情況差別很大。在純水會加大鹽橋溶液的滲透速度,促使鹽橋的損耗,從而加速了K+和CL-的濃度的降低。引起液接界電位的變化和不穩定,而Ag/AgCl參比電極本身的電位取決於CL-的濃度。CL-濃度發生了變化,其參比電極自身電位也會隨之變化,於是就使得示值漂移,特別是不能補充內參比液的復合電極更會如此。 3、Kcl濃度的降低:為了保證復合電極的pH零電位,鹽橋必須採用高濃度的Kcl,同時為了防止Ag/AgCl鍍層被高濃度的Kcl溶解,在鹽橋中又必須添加粉末狀的AgCl,使鹽橋溶液被AgCl飽和。但是根據上述第1條所述,由於鹽橋溶液中Kcl濃度的降低,又使原本溶解在其中的AgCl過飽和而沉澱,從而堵塞液接界。 4、易受污染:純水很容易受到污染,在燒杯中敞開測量,很容易受到CO2吸收的影響,PH值會不停地往下降,有關國際標准規定測量必須在一個特殊的裝置中密閉中進行,但在一般實驗室中難於實行。
2. 半導體超純水設備生銹應該如何解決
1、維護膜復有些決裂或塗料有些制掉落,這些決裂或掉落塗料的地方會遭到腐蝕。
2、保證防腐塗料具有良好的附著力、柔韌性以及耐長期沖刷的性能。
3、保證防腐塗料在運輸、安裝及使用中有良好耐紫外線照射及防水防凍的性能。
4、半導體超純水設備管道內外噴漆防腐,金屬外表所觸摸的水溶液中,氧的濃度不一樣,構成氧的濃差電池,富氧有些為陰極,而缺氧有些則成陽極遭到腐蝕。
3. 半導體純水為什麼對硅含量有要求
1)
本徵半導體是來一種完全純凈的自、結構完整的半導體晶體。絕對零度時價帶被價電子填滿,導帶是空的。
2)
隨著溫度的升高,本徵載流子濃度迅速地增加,在本徵時器件不能穩定工作。而對於摻雜半導體,室溫附近載流子主要來源於雜質電離,在雜質全部電離的情況下,載流子濃度一定,器件就能穩定工作。所以,製造半導體器件一般都會用含有何當雜志的半導體材料,而且每一種半導體材料製成的器件都有一定的極限工作溫度,超過這一溫度後,器件就會失效。
3)
雜質在元素半導體
Si和Ge中的作用:是半導體Si\Ge的導電性能發生顯著的改變。
復制別人的
呵呵
還是希望能幫助你
4. 超純水指標
這是我們超純水檢測機構給半導體廠和葯廠檢測的項目,不知道能否解答你的問題?
電阻率(實測電導) GB 11446.4
全硅 GB 11446.6分光光度
微粒數 GB 11446.9
細菌個數 GB 11446.10(濾膜培養
銅 GB 11446.5原子吸收分光光度法
鋅 GB 11446.5
鎳 GB 11446.5
鈉 GB 11446.5
鉀 GB 11446.5
氯化物 GB 11446.7離子色譜
硝酸根 GB 11446.7
磷酸根 GB 11446.7
硫酸根 GB 11446.7
總有機碳 GB 11446.8
5. 各行業使用純水的標準是什麼
電導率≤10μS/CM 動物飲用純水(醫葯)、普通化工原料配料用純水、食品行業配料用純水等。
電導率≤專4μS/CM 電鍍化屬學品生產用純水、化工行業表面活性劑生產用純水、醫用純化純水、白酒生產用純水、啤酒生產用純水、民用飲用純凈純水用純水、普通化妝品生產用純水、血透純純水機用純水。
電阻率5~10MΩ.CM 鋰電池生產用純水、蓄電池生產用純水、化妝品生產用純水、電廠鍋爐用純水等。
電阻率>17 ML2 CM 磁性材料鍋爐用軟化純水、敏感新材料用純水、半導體材料生產用純水、尖端金屬材料用純水、防
老化材料實驗室用純水、有色金屬; 貴金屬冶煉用純水、鈉米級新材料生產用純水、航空新材料生產用純水、太陽能電池
生產用純水、純水晶片生產用純水、超純化學試劑生產用純水、實驗室用高純水、其它有相同純水質要求的用純水;
5、電阻率>18 ML2 C ITO導電玻璃製造用純水、化驗室用純水、電子級無塵布生產用純水等其它有相同純水質要求的用純水。
6. 超純水水質標准
超純水是為了研製超純材料(半導體原件材料、納米精細陶瓷材料等)應用蒸餾、去離子化、反滲透技術或其它適當的超臨界精細技術生產出來的水,其電阻率大於18 MΩ*cm,或接近18.3 MΩ*cm極限值(25℃)。簡單得說就是幾乎去除氧和氫以外所有原子的水。這樣的水是一般工藝很難達到的程度,理論上可以採用二級反滲透再經過串聯的混合型交換樹脂柱對二次反滲水進行處理,但是交換樹脂的再生不便,質量難以保證。
制備
在原子光譜、高效液相色譜、超純物質分析、痕量物質等的某些實驗中,需要用超純水,超純水的制備如下:
(1)加入少量高錳酸鉀的水源,用玻璃蒸餾裝置進行二次蒸餾,再以全石英蒸餾器進行蒸餾,收集於石英容器中,可得超純水。
(2)使用強酸型陽離子和強鹼型陰離子交換樹脂柱的混合床或串聯柱。可充分除去水中的陽、陰離子,其電阻率達10 Q·cm的水,俗稱去離子水,再用全石英蒸餾器進行蒸餾,收集可得超純水。
應用
超純水可以在以下領域使用:
(1)電子、電力、電鍍、照明電器、實驗室、食品、造紙、日化、建材、造漆、蓄電池、化驗、生物、制葯、石油、化工、鋼鐵、玻璃等領域。
(2)化工工藝用水、化學葯劑、化妝品等。
(3)單晶硅、半導體晶片切割製造、半導體晶元、半導體封裝 、引線櫃架、集成電路、液晶顯示器、導電玻璃、顯像管、線路板、光通信、電腦元件 、電容器潔凈產品及各種元器件等生產工藝。
(4)高壓變電器的清洗等
7. 純水的標準是什麼是超純凈水的標準是什麼
純水和超純來水一般都沒有源統一的標准。是根據用戶的需求來規定。
一般意義上講純水至少應該是去離子水,即水中大部分陰陽離子是應該被去除的。細菌、懸浮物等的含量也應是相當低的。
目前水質要求最高的超純水是半導體行業,根據半導體晶元的大小和線徑的不同水質要求也不一樣,其超純水的水質指標如下:
電阻率大於18.2兆歐(25攝氏度);TOC(總有機碳)小於1到10ppb,DO(溶解氧)小於1到10ppb;Particle(顆粒):0.05微米小於200個/升;離子含量大部分是小於20到50ppt;細菌檢測:無。