反滲透產水二氧化硅高怎麼回事

Ⅰ 反滲透產水硬度增高有哪些原因

一、反滲透產水硬度增高可能產生的原因大體有以下幾種：
1、原水硬度的增高；
2、反滲透膜出現了結垢污染、重金屬污染導致脫鹽率差或者高價離子透過率增加會；
3、反滲透膜性能下降如氧化破壞等；
4、出現了產水泄漏；
5、水溫上升引起鹽透過率增加；
二、解決辦法
對應於上述5種情況，大體可採用如下方法判斷解決：
1、檢測原水的硬度是否與原先原水水質不同，比如硬度指標，如果是增高的，則可以進行產水硬度和原水硬度比值來分析，如果差不多則屬於正常現象，不需要擔憂；
2、看反滲透的壓差（特別是二段的壓差）是否增加了，也可以打開膜端蓋看看是否有結垢或者鐵銹紅等現象，如果有，則對反滲透膜進行必要的、可靠的化學清洗以去除膜污染；
3、通過產水量、脫鹽率等數據來判斷膜性能的好壞，如果脫鹽率有很大的偏差且系統沒有出現較為明顯的壓差等現象，則有可能是膜性能下降，那隻有更換膜元件；
4、如果產水電導比較高，則需要對每支壓力容器的產水進行檢測，如果查出有突出的壓力容器則可能有泄漏的地方，找到並修復；
5、有時候水溫的上升會引起脫鹽率下降（前提是產水量也上升，或者產水量不變而進水壓力降低），這時侯可以通過調節參數比如提高操作壓力、降低回收率等來彌補；
希望能有用！
謝謝！

Ⅱ 混床更換樹脂後，除鹽水二氧化硅高，而未更換樹脂的混床產水正常，二氧化硅高怎麼處理

混床出水SiO2超標的原因 ：
1.1除硅系統不完善。反滲透裝置後續處理直接為二級混床離子交換除鹽回. 由於 RO 為物理答除鹽,所以一級混床進水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 陰離子,經過混床陰 樹脂的交換後,進入二級混床的主要是 HCOf,HSi03-兩種陰離子,經測定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,這樣在終點到達時,失效的二級混床陰樹脂中,RHSiO,比例高達75%～85%.這時,常規 的再生方法已無法徹底去除硅酸,所以再次投運時會導致混床出水SiO:含量超標, 將這種現象稱之為 "硅污染".硅污染易發生在二級混床的強鹼性陰樹脂中,用正常的再生方法無法徹 底地將這些硅洗脫 來,其結果往往導致陰樹脂的除硅能力較大幅度的下降,再生後混床出水硅含量超標.
2.常規再生方法的不足。 對發生硅污染的混床,常規的再生用鹼量不足以保證再生效果,其原因:不足量的再生液流經樹脂層時先是發生部分硅化合物被再生下來的過程,部分硅化合物仍殘留在樹脂中。

Ⅲ 為什麼混床更換樹脂後，除鹽水中二氧化硅含量超標

混床出來水SiO2超標的原因 ：
1.1除硅系自統不完善。反滲透裝置後續處理直接為二級混床離子交換除鹽. 由於 RO 為物理除鹽,所以一級混床進水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 陰離子,經過混床陰 樹脂的交換後,進入二級混床的主要是 HCOf,HSi03-兩種陰離子,經測定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,這樣在終點到達時,失效的二級混床陰樹脂中,RHSiO,比例高達75%～85%.這時,常規 的再生方法已無法徹底去除硅酸,所以再次投運時會導致混床出水SiO:含量超標, 將這種現象稱之為 "硅污染".硅污染易發生在二級混床的強鹼性陰樹脂中,用正常的再生方法無法徹 底地將這些硅洗脫 來,其結果往往導致陰樹脂的除硅能力較大幅度的下降,再生後混床出水硅含量超標.
2.常規再生方法的不足。 對發生硅污染的混床,常規的再生用鹼量不足以保證再生效果,其原因:不足量的再生液流經樹脂層時先是發生部分硅化合物被再生下來的過程,部分硅化合物仍殘留在樹脂中。

Ⅳ 反滲透進水的二氧化硅指的是什麼

二氧化硅是水質分析的重要指標之一,鍋爐爐水、給水,除鹽水中的二氧化硅都要回進行准確測定。反滲透答系統最大允許二氧化硅的濃度取決於溫度、pH值以及阻垢劑，通常在不加阻垢劑時濃水端最高允許濃度為100ppm，某些阻垢劑能允許濃水中的二氧化硅濃度最高為240ppm，請咨詢阻垢劑供應商。

Ⅳ 反滲透產水二氧化硅高是什麼原因

一、膜堵老化、堵塞等，需要更換或者葯洗
二、降低硅可以將PH調制鹼性

Ⅵ 鍋爐的爐水二氧化硅超表是什麼原因及相應的解決辦法

二氧化硅是自然界常見的礦物質，這種物質在鍋爐水中，會在鍋爐內生成難以清洗的硅酸鹽內水容垢。對鍋爐的性能壽命都有很嚴重的影響，

解決辦法，最好使用專業的鍋爐水緩釋阻垢劑，進行中和。最好還是改進凈水裝置，用離子交換反滲透等辦法，凈化鍋爐水，這樣保證鍋爐正常運行。

(6)反滲透產水二氧化硅高怎麼回事擴展閱讀：

二氧化硅在日常生活、生產和科研等方面有著重要的用途，但有時也會對人體造成危害。二氧化硅的粉塵極細，比表面積達到100m2/g以上可以懸浮在空氣中，如果人長期吸入含有二氧化硅的粉塵，就會患硅肺病（因硅舊稱為矽，硅肺舊稱為矽肺）。

硅肺是一種職業病，它的發生及嚴重程度，取決於空氣中粉塵的含量和粉塵中二氧化硅的含量，以及與人的接觸時間等。長期在二氧化硅粉塵含量較高的地方，如采礦、翻砂、噴砂、制陶瓷、制耐火材料等場所工作的人易患此病。

因此，在這些粉塵較多的工作場所，應採取嚴格的勞動保護措施，採用多種技術和設備控制工作場所的粉塵含量，以保證工作人員的身體健康。

Ⅶ 混床二氧化硅高,電導率低的原因是什麼

陰離子交換樹脂失效。二氧化硅太高往往是陰離子交換樹脂失效造成的，多出現在ro+離子交換的工藝中，由於ro脫除了水中大部分的鹽份，而ro對二氧化硅的脫除率相對較低。陰離子失效電導率自然下降。

Ⅷ 化驗室檢測中造成二氧化硅高的原因是什麼

咨詢記錄 · 回答於2021-12-04

Ⅸ 混床再生處理後為什麼二氧化硅超標，比進水還要大

混床出水SiO2超標的原因 ：
1.1除硅系統不完善。反滲透裝置後續處理直接為二級混床離子交換除鹽. 由於 RO 為物理除鹽,所以一級混床進水中含有 s0:一,cL 一,HC03,HSiO3-等所有 陰離子,經過混床陰 樹脂的交換後,進入二級混床的主要是 HCOf,HSi03-兩種陰離子,經測定其中 HSi03-含量是xJco;含 倍,這樣在終點到達時,失效的二級混床陰樹脂中,RHSiO,比例高達75%～85%.這時,常規 的再生方法已無法徹底去除硅酸,所以再次投運時會導致混床出水SiO:含量超標, 將這種現象稱之為 "硅污染".硅污染易發生在二級混床的強鹼性陰樹脂中,用正常的再生方法無法徹 底地將這些硅洗脫 來,其結果往往導致陰樹脂的除硅能力較大幅度的下降,再生後混床出水硅含量超標.
2.常規再生方法的不足。 對發生硅污染的混床,常規的再生用鹼量不足以保證再生效果,其原因:不足量的再生液流經樹脂層時先是發生部分硅化合物被再生下來的過程,部分硅化合物仍殘留在樹脂中。

Ⅹ 制氧循環水含二氧化硅高怎麼處理

制氧循環水含二氧化硅高，二氧化硅是非常容易處理的。
如果是固體的二氧化硅結晶，直接過濾就可以了。如果是溶於水的硅酸鹽，調整pH值至中性，硅酸就會沉澱出來，過濾除去。如果要求更高，可以採用陰離子交換樹脂，把硅酸根撤掉交換掉。