⑴ 處理器 英特爾 Pentium(奔騰) 雙核 E6500 @ 2.93GHz請問我這配置要怎麼提升硬體啊
cpu換Q9300，顯卡換GTX750，內存+2G，還可以再用三年
⑵ 英特爾奔騰處理器G4400，用雙通道內存能夠提升多少性能呢！
雙通道高頻內存提升明顯，玩LOL全高特效大概50FPS，雙通道1600Mhz普通內存玩LOL全高特效大概40FPS。
奔騰雙核始終是奔騰雙核，即使是六代CPU也翻不了大浪。
英特爾的核心顯卡性能比AMD的核心顯卡弱不少，所以配雙通道內存提升的沒有AMD核心顯那麼明顯，但是提升也很多了。
總之拿LOL去對比，就那樣。
⑶ 怎樣提高cpu和內存的性能
你是想超頻吧?
在BIOS看看有沒內存超頻的選項.看看這個吧:
一：關於內存超頻與設置的基礎知識
在我們進行內存的選購之前，我們要對影響內存性能的一些基本知識進行一個了解，下面這十點，使筆者通過反復論證得到的結果，請大家務必了解。
1、對內存的優化要從系統整體出發，不要局限於內存模組或內存晶元本身的參數，而忽略了內存子系統的其他要素。
2、目前的晶元組都具備多頁面管理的能力，所以如果可能，請盡量選擇雙 P-Bank 的內存模組以增加系統內存的頁面數量。但怎麼分辨是單 P-Bank 還是雙 P-Bank 呢？就目前市場上的產品而言 ，256MB 的模組基本都是單 P-Bank 的，雙面但每面只有 4 顆晶元的也基本上是單 P-Bank 的，512MB 的雙面模組則基本都是雙 P-Bank的。
3、頁面數量的計算公式為： P-Bank 數量 X4，如果是 Pentium4 或 AMD 64 的雙通道平台，則還要除以 2。比如兩條單面 256MB 內存，就是 2X4=8 個頁面，用在 875 上組成雙通道就成了 4 個頁面。
4、CL、tRCD、tRP 為絕對性能參數，在任何平台下任何時候，都應該是越小越好，調節的優化順序是 CL → tRCD → tRP。
5、當內存頁面數為 4 時 ，tRAS 設置短一些可能會更好，但最好不要小於 5。另外，短 tRAS 的內存性能相對於長 tRAS 可能會產生更大的波動性，對時鍾頻率的提高也相對敏感。
6、當內存頁面數大於或等於 8 時，tRAS 設置長一些會更好。
7、對於 875 和 865 平台，雙通道時頁面數達到 8 或者以上時，內存性能更好。
8、對於非雙通道 Pentium4 與 AMD 64 平台，tRAS 長短之間的性能差異要縮小。
9、Pentium4 或 AMD 64 的雙通道平台下 ，BL=4 大多數情況下是更好的選擇，其他情況下 BL=8 可能是更好的選擇，請根據自己的實際應用有針對的調整。
10、適當加大內存刷新率可以提高內存的工作效率，但也可能降低內存的穩定性。
二、BIOS中內存相關參數的設置要領
Automatic Configuration「自動設置」（可能的選項：On/ Off或Enable/Disable）
可能出現的其他描述為：DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，如果你要手動調整你的內存時序，你應該關閉它，之後會自動出現詳細的時序參數列表。
Bank Interleaving（可能的選項：Off/Auto/2/4）
這里的Bank是指L-Bank，目前的DDR RAM的內存晶元都是由4個L-Bank所組成，為了最大限度減少定址沖突，提高效率，建議設為4（Auto也可以，它是根據SPD中的L-Bank信息來自動設置的）。
Burst Length「突發長度」（可能的選項：4/8）
一般而言，如果是AMD Athlon XP或Pentium4單通道平台，建議設為8，如果是Pentium4或AMD 64的雙通道平台，建議設為4。但具體的情況要視具體的應用而定。
CAS Latency 「列地址選通脈沖潛伏期」（可能的選項：1.5/2/2.5/3）
BIOS中可能的其他描述為：tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。
Command Rate「首命令延遲」（可能的選項：1/2）
這個選項目前已經非常少見，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由於目前的DDR內存的定址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然後才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數的含義就是指在P-Bank選擇完之後多少時間可以發出具體的定址的L-Bank/行激活命令，單位是時鍾周期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內存模組的增多，控制晶元組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩定性。因此當你的內存插得很多而出現不太穩定的時間，才需要將此參數調長 。目前的大部分主板都會自動設置這個參數，而從上文的ScienceMark 2.0測試中，大家也能察覺到容量與延遲之間的關系。
RAS Precharge Time 「行預充電時間」（可能的選項：2/3/4）
BIOS中的可能其他描述：tRP、RAS Precharge、Precharge to active。
RAS-to-CAS Delay「行定址至列定址延遲時間」（可能的選項：2/3/4/5）
BIOS中的可能其他描述： tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。
Active to Precharge Delay「行有效至行預充電時間」（可能的選項：1……5/6/7……15）
BIOS中的可能其他描述：tRAS、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay等。根據上文的分析，這個參數要根據實際情況而定，具體設置思路見上文，並不是說越大或越小就越好。
三、認清影響內存性能的關鍵
在講完 SDRAM 的基本工作原理和主要操作之後，我們現在要重要分析一下 SDRAM 的時序與性能之間的關系，它不再局限於晶元本身，而是要從整體的內存系統去分析。這也是廣大 DIYer 所關心的話題。比如 CL 值對性能的影響有多大幾乎是每個內存論壇都會有討論，今天我們就詳細探討一下。這里需要強調一點，對於內存系統整體而言，一次內存訪問就是對一個頁 （Page）的訪問。由於在 P-Bank 中，每個晶元的定址都是一樣的，所以可以將頁訪問「濃縮」等效為對每晶元中指定行的訪問，這樣可能比較好理解。但為了與官方標准統一，在下文中會經常用頁來描述相關的內容，請讀者注意理解。
可能很多人還不清楚頁的概念，在這里有必要先講一講。從狹義上講，內存晶元晶元中每個 L-Bank 中的行就是頁，即一行為一頁。但從廣義上說，頁是從整體角度講的，這個整體就是內存子系統。
對於內存模組，與之進行數據交換的單位就是 P-Bank 的位寬。由於目前還沒有一種內存晶元是 64bit 位寬的，所以就必須要用多個晶元的位寬來集成一個 P-Bank。如我們現在常見的內存晶元是 8bit 位寬的，那麼就需要 8 顆晶元組成一個 P-Bank 才能使系統正常工作。而 CPU 對內存的定址，一次就是一個 P-Bank，P-Bank 內的所有晶元同時工作，這樣對 P-Bank 內所有的晶元的定址都是相同的。比如定址指令是 B1、C2、R6，那麼該 P-Bnak 內的晶元的工作狀態都是打開 B1 的 L-Bank 的第 C2 行。好了，所謂廣義上的頁就是指 P-Bank 所包括的晶元內相同 L-Bank 內的相同工作行的總集合 。頁容量對於內存子系統而言是一個很重要的指標。這個參數取決於晶元的容量與位寬的設計。由於與本文的關系不大，就不具體舉例了。
早期 Intel 845 晶元組 MCH 的資料：它可以支持 2、4、8、16KB 的頁容量
總之，我們要知道，由於定址對同一 L-Bank 內行地址的單一性，所以一個 L-Bank 在同一時間只能打開一個頁面，一個具有 4 個 L-Bank 的內存晶元，可以打開 4 個頁面。這樣，以這種晶元組成的 P-Bank，也就最後具備了 4 個頁面，這是目前 DDR SDRAM 內存模中每個 P-Bank 的頁面最大值。
1、影響性能的主要時序參數
在講完內存的基本操作流程與相關的 tRP、tRCD、CL、BL 之後，我們就開始深入分析這些參數對內存性能的影響。所謂的影響性能是並不是指 SDRAM 的帶寬，頻率與位寬固定後，帶寬也就不可更改了。但這是理想的情況，在內存的工作周期內，不可能總處於數據傳輸的狀態，因為要有命令、定址等必要的過程。但這些操作佔用的時間越短，內存工作的效率越高，性能也就越好。
非數據傳輸時間的主要組成部分就是各種延遲與潛伏期。通過上文的講述，大家應該很明顯看出有三個參數對內存的性能影響至關重要，它們是 tRCD、CL 和 tRP。按照規定，每條正規的內存模組都應該在標識上註明這三個參數值，可見它們對性能的敏感性。
以內存最主要的操作——讀取為例。tRCD 決定了行定址（有效）至列定址（讀 / 寫命令）之間的間隔 ，CL 決定了列定址到數據進行真正被讀取所花費的時間，tRP 則決定了相同 L-Bank 中不同工作行轉換的速度。現在可以想像一下對某一頁面進行讀取時可能遇到的幾種情況（分析寫入操作時不用考慮 CL 即可）：
1、要定址的行與 L-Bank 是空閑的。也就是說該 L-Bank 的所有行是關閉的，此時可直接發送行有效命令，數據讀取前的總耗時為 tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁命中 （PH，Page Hit）。
2、要定址的行正好是現有的工作行，也就是說要定址的行已經處於選通有效狀態，此時可直接發送列定址命令，數據讀取前的總耗時僅為 CL，這就是所謂的背靠背 （Back to Back）定址，我們稱之為頁快速命中（PFH，Page Fast Hit）或頁直接命中（PDH，Page Direct Hit）。
3、要定址的行所在的 L-Bank 中已經有一個行處於活動狀態（未關閉），這種現象就被稱作定址沖突，此時就必須要進行預充電來關閉工作行，再對新行發送行有效命令。結果，總耗時就是 tRP+tRCD+CL，這種情況我們稱之為頁錯失 （PM，Page Miss）。
顯然，PFH 是最理想的定址情況，PM 則是最糟糕的定址情況。上述三種情況發生的機率各自簡稱為 PHR —— PH Rate、PFHR —— PFH Rate、PMR —— PM Rate。因此，系統設計人員（包括內存與北橋晶元）都盡量想提高 PHR 與 PFHR，同時減少 PMR，以達到提高內存工作效率的目的。
2、增加 PHR 的方法
顯然，這與預充電管理策略有著直接的關系，目前有兩種方法來盡量提高 PHR。自動預充電技術就是其中之一，它自動的在每次行操作之後進行預充電，從而減少了日後對同一 L-Bank 不同行定址時發生沖突的可能性。但是，如果要在當前行工作完成後馬上打開同一 L-Bank 的另一行工作時，仍然存在 tRP 的延遲。怎麼辦？ 此時就需要 L-Bank 交錯預充電了。
早期非常令人關注的VIA 4路交錯式內存控制，就是在一個L-Bank工作時，對另一個L-Bank進行預充電或者定址（如果要定址的L-Bank是關閉的)。這樣，預充電與數據的傳輸交錯執行，當訪問下一個L-Bank時，tRP已過，就可以直接進入行有效狀態了，如果配合得理想,那麼就可以實現無間隔的L-Bank交錯讀/寫（一般的，交錯操作都會用到自動預充電）,這是比PFH更好的情況，但它只出現在後續的數據不在同一頁面的時時候。當時VIA聲稱可以跨P-Bank進行16路內存交錯，並以LRU（Least Recently Used，近期最少使用）演算法進行 交錯預充電/定址管理。
L-Bank 交錯自動預充電 / 讀取時序圖： L-Bank 0 與 L-Bank 3 實現了無間隔交錯讀取，避免了 tRP與tRCD對性能的影響 ，是最理想的狀態
3、增加 PFHR 的方法
無論是自動預充電還是交錯工作的方法都無法消除同行（頁面）定址時tRCD 所帶來的延遲。要解決這個問題，就要盡量讓一個工作行在進行預充電前盡可能多的接收工作命令，以達到背靠背的效果，此時就只剩下 CL 所造成的讀取延遲了（寫入時沒有延遲）。
如何做到這一點呢？這就是北橋晶元的責任了。現在我們就又接觸到 tRAS 這個參數，在 BIOS 中所設置的 tRAS 是指行有效至預充電的最短周期，在內存規范中定義為 tRAS（min），過了這個周期後就可以發出預充電指令。對於 SDRAM 和 DDR SDRAM 而言，一般是預充電命令至少要在行有效命令 5 個時鍾周期之後發出，最長間隔視晶元而異（目前的 DDR SDRAM 標准一般基本在 70000ns 左右），否則工作行的數據將有丟失的危險。那麼這也就意味著一個工作行從有效（選通）開始，可以有 70000ns 的持續工作時間而不用進行預充電。顯然，只要北橋晶元不發出預充電（包括允許自動預充電）的命令，行打開的狀態就會一直保持。在此期間的對該行的任何讀寫操作也就不會有 tRCD 的延遲。可見，如果北橋晶元在能同時打開的行（頁）越多，那麼 PFHR 也就越大。需要強調的是，這里的同時打開不是指對多行同時定址（那是不可能的），而是指多行同時處於選通狀態。我們可以看到一些 SDRAM 晶元組的資料中會指出可以同時打開多少個頁的指標，這可以說是決定其內存性能的一個重要因素。
但是，可同時打開的頁數也是有限制的。從 SDRAM 的定址原理講，同一L-Bank 中不可能有兩個打開的行（讀出放大器只能為一行服務），這就限制了可同時打開的頁面總數。以 SDRAM 有 4 個 L-Bank，北橋最多支持 8 個 P-Bank（4 條 DIMM）為例，理論上最多隻能有 32 個頁面能同時處於打開的狀態。而如果只有一個 P-Bank，那麼就只剩下 4 個頁面，因為有幾個 L-Bank 才能有同時打開幾個行而互不幹擾 。Intel 845 的 MHC 雖然可以支持 24 個打開的頁面，那也是指 6 個 P-Bank 的情況下（845MCH 只支持 6 個 P-Bank）。可見 845 已經將同時打開頁數發揮到了極致。
不過，同時打開頁數多了，也對存取策略提出了一定的要求。理論上，要盡量多地使用已打開的頁來保證最短的延遲周期，只有在數據不存在（讀取時）或頁存滿了（寫入時）再考慮打開新的指定頁，這也就是變向的連續讀 / 寫。而打開新頁時就必須要關閉一個打開的頁，如果此時打開的頁面已是北橋所支持的最大值但還不到理論極限的話 （如果已經達到極限，就關閉有沖突的L-Bank內的頁面即可），就需要一個替換策略，一般都是用 LRU 演算法來進行，這與 VIA 的交錯控制大同小異。
回到正題，雖然 tRAS 代表的是最小的行有效至預充電期限，但一般的，北橋晶元一般都會在這個期限後第一時間發出預充電指令（自動預充電時，會在tRAS之後自動執行預充電命令），只有在與其他操作相沖突時預充電操作才被延後（比如，DDR SDRAM 標准中規定，在讀取命令發出後不能立即發出預充電指令）。因此，tRAS 的長短一直是內存優化發燒友所爭論的話題，在最近一兩年，由於這個參數在 BIOS 選項中越來越普及，所以也逐漸被用戶所關注。其實，在 SDRAM 時代就沒有對這個參數有刻意的設定，在 DDR SDRAM 的官方組織 JEDEC 的相關標准中，也沒有把其列為必須標明的性能參數 （CL、tRCD、tRP 才是），tRAS 應該是某些主板廠商炒作出來的，並且在主板說明書上也註明越短越好。
其實，縮小 tRAS 的本意在於，盡量壓縮行打開狀態下的時間，以減少同 L-Bank 下對其他行進行定址時的沖突，從內存的本身來講，這是完全正確的做法，符合內存性能優化的原則，但如果放到整體的內存系統中，伴隨著主板晶元組內存頁面控制管理能力的提升，這種做法可能就不見得是完全正確的，在下文中我們會繼續分析 tRAS 的不同長短設置對內存性能所帶來的影響。
4、BL 長度對性能的影響
從讀 / 寫之間的中斷操作我們又引出了 BL（突發長度）對性能影響的話題。首先，BL 的長短與其應用的領域有著很大關系，下表就是目前三個主要的內存應用領域所使用的 BL，這是廠商們經過多年的實踐總結出來的。
BL與相應的工作領域
BL 越長，對於連續的大數據量傳輸很有好處，但是對零散的數據，BL 太長反而會造成匯流排周期的浪費，雖然能通過一些命令來進行終止，便也佔用了控制資源。以 P-Bank 位寬 64bit 為例 ，BL=4 時，一個突發操作能傳輸 32 位元組的數據，為了滿足 Cache Line 的容量需求，還得多發一次，如果是 BL=8，一次就可以滿足需要，不用再次發出讀取指令。而對於 2KB 的數據 ，BL=4 的設置意味著要每隔 4 個周期發送新的列地址，並重復 63 次。而對於 BL=256，一次突發就可完成，並且不需要中途再進行控制，但如果僅傳輸 64 位元組，就需要額外的命令來中止 BL=256 的傳輸。而額外的命令越多，越佔用內存子系統的控制資源，從而降低總體的控制效率。從這可以看出 BL 對性能的影響因素，這也是為什麼 PC 上的內存子系統的 BL 一般為 4 或 8 的原因。但是不是 8 比 4 好，或者 4 比 8 好
⑷ 怎麼提升電腦處理器性能
提升cpu性能的方法：
1、在任務管理器里關閉沒用的程序。
2、通過超頻來使得CPU頻率變強。
3、清理系統垃圾，提高系統速度；或者升級CPU。
4、提高CPU的時鍾頻率和增加緩存容量。
5、通過系統設置
1）、使用鍵盤上的快捷鍵Win+R，打開運行對話框，並在對話框中輸入「msconfig」命令。
2）、回車即可打開系統配置的對話框。
3）、點擊選擇「引導」選項卡，點擊上圖中中間左側區域的「高級選項」按鈕，彈出如下窗口。
4）、根據電腦處理器數，勾選「處理器數和最大內存」，並在下拉列表中選擇處理器的個數。
Windows 7系統默認情況下處理器個數為1，如果你是雙核用戶，在下拉菜單里選擇處理器的數目，比如雙核就選擇「2」。
5）、修改完畢後，點擊「確定」按鈕，然後應用設置退出即可。再確定後會彈出下面對話框：
說明：通過設置能夠讓Win7合理利用多核心處理器，但提高的速度並不會有想像中的那麼明顯。不用過分迷信通過此方法能夠大幅提高運行速度，根據自己處理器的實際核心數進行設置即可。
⑸ 我想超頻 高手來看看 教教我怎麼超..處理器 英特爾 Pentium(奔騰)雙核 E5300 @ 2.60GHz
不知道你是不會進BIOS還是不會設置。所以全都慢慢說吧！能多給點分就好哦！
①開機後，看到開機畫面時，按DEl（鍵盤右下角），實在不知道什麼時候按的話，就開機後一直按Del直至見到藍色底的畫面為止（不是藍屏）。
看到時，按DEl就可以進入BIOS。
②主板BIOS的第一選項即為MB Intelligent Tweaker，按回車進去即可。
③用方向鍵上下移動游標。移到CPU Host Clock Control。按回車，在彈出的方框中直接用數字鍵輸入 數字（即CPU的外頻），原始為200，建議設為250（由於你是新手，最好不要超過280），按回車確認即完成外頻的設置。
④再向下找到System Memory Multiplier（SPD），記住只能選2.66C或3.33C或4.00C或AUTO（默認），數字越大，內存的頻率就越高，最好設為4.00C，性能最好，因為CPU的外頻即使設為333，內存也不會成為瓶頸。選最好的設吧。按回車確認即完成內存頻率的設置。
⑤電壓的設置，一般只需設上述兩項即可，因為超頻的幅度不大，不過為了穩定和你想超更高的頻率，建議加電壓。
在MB Intelligent Tweaker中找到（不斷向下按和找）CPU Vcore，1.6V以下以0.0625V為步進，建議加0.0625V的電壓，右上角有原始的默認電壓。想超更高的話，如將外頻設為280或更高，建議加0.125V或0.1875V的電壓或更高電壓。總電壓不要超過1.35V為宜。按回車確認，其餘不要管了。
⑥然後按F10即可。會重啟電腦，一般會成功。若失敗的話，可在主板上找Clear CMOS這個跳線。也可根據主板說明書來找，方法就不介紹了。
至於E5300的超頻 ，建議不要超過3.5GHz為宜。雖然E5300過4GHz都可以，但不建議長期使用。3.5GHz以下（對應的外頻為280）都可長期使用，想更高的話還是換散熱器吧。
我打的很辛苦的說，採納的話多給一點分吧
⑹ 奔騰E5300處理器怎麼超頻具體超頻方法！
在ADVANCE裡面提升處理器外頻，E5300很容易就能超到3.2G以上。
⑺ Cpu是奔騰g860,新主板支持16g內存，現有2g內存條，請問怎麼加內存條能最大提升性能又合理
去掉2g的，8+8組成16最優方案！因為雙通道的原因如果強行帶上2g，那其他高頻的內存和低頻同步，那你升級內存的意義就不大，最多也就加個2g一樣的，組成2+2的4g雙通道了！
⑻ 請問如何使電腦性能達到最好我的電腦配置是:intel 奔騰雙核處理器1.86,1G內存,120硬碟,intel集成顯卡，
加到2G內存，把cpu超頻40%，用HD3850顯卡。性能可以提高3倍。
⑼ 怎麼把電腦CPU性能調到最大
1、進BIOS由默認值改為優化設置值，將開機啟動順序設硬碟為第一啟動。
2、禁用閑置的IDE通道
右鍵點擊「我的電腦－屬性」--「硬體」--「設備管理器」，在其中展開「IDE ATA/PATA控制器」然後分別右擊「主要」和「次要」IDE通道--「高級設置」--將「設備類型」設置為「無」，將「傳送模式」設為「DMA（若可用」。
3、優化視覺效果
右鍵單擊「我的電腦」--「屬性」—「高級」，在「性能」欄中，點擊「設置」--「視覺效果」，調整為最佳性能，或去掉一些不需要的功能。
⑽ 我的電腦想要提升一下性能該怎樣啦 處理器 英特爾 Pentium(奔騰) 雙核 E6700 @ 3.20GHz 速度 3.20 GH
您好，影響電腦速度的因素有很多種，例如處理器、顯卡、內存、硬碟等，但主要是和處理器的性能密不可分，建議平時經常殺毒，檢查系統的啟動項是否過多，是否安裝了多個相同功能的軟體，可以把不需要的卸載；
希望能幫到您。